发明授权
- 专利标题： 半导体器件和接合线
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申请号： CN201210115677.0申请日： 2012-04-19
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公开(公告)号： CN102751253B公开(公告)日： 2016-02-10
- 发明人: K.霍赛尼 , J.马勒 , M.门格尔
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 马永利; 卢江
- 优先权： 13/090092 2011.04.19 US
- 主分类号： H01L23/488
- IPC分类号： H01L23/488 ; H01L23/49 ; H01L21/48
摘要：
本发明公开了半导体器件和接合线。一种半导体器件包括半导体芯片、半导体芯片的接触垫、以及布置在接触垫上方的第一层。第一层包括铌、钽或包括铌和钽的合金。
公开/授权文献
- CN102751253A 半导体器件和接合线 公开/授权日：2012-10-24
IPC分类:
