本发明提供一种具有阶梯式电流阻挡结构的LED芯片及其制作方法，提供一至少包括衬底及位于其上的发光外延结构的LED外延片；在位于LED外延片表面、垂直对应预制作第一电极的区域制作阶梯式电流阻挡结构；在LED外延片及阶梯式电流阻挡结构表面制作透明导电层，而后相应的制作第一电极、第二电极、及保护层。本发明采用的阶梯式电流阻挡结构边缘的梯度变缓，增大了透明导电层与阶梯式电流阻挡结构的接触面积，避免透明导电层（ITO）在电流阻挡结构的边缘侧壁处（阶梯处）厚度变薄甚至出现断开的现象，提升了透明导电层的阶梯覆盖能力，进而改善了透明导电层的电流扩散能力，增加了LED芯片的电光转换效率，提高了LED芯片的亮度。