发明授权
- 专利标题： 使用半导体晶片的高效率光伏背结背触点太阳能电池结构和制造方法
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申请号： CN201080063303.8申请日： 2010-12-09
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公开(公告)号： CN102763225B公开(公告)日： 2016-01-20
- 发明人: M·M·穆斯利赫 , P·卡普尔 , K·J·克拉默 , D·X·王 , S·苏特 , V·V·雷纳 , A·卡尔卡特拉 , E·范·科斯查伟 , D·哈伍德 , M·曼苏里 , M·温格特
- 申请人： 速力斯公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 速力斯公司
- 当前专利权人： 速力斯公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- 代理商 谭志强
- 优先权： 61/285,140 2009.12.09 US
- 国际申请： PCT/US2010/059783 2010.12.09
- 国际公布： WO2011/072179 EN 2011.06.16
- 进入国家日期： 2012-08-09
- 主分类号： H01L31/042
- IPC分类号： H01L31/042 ; H01L31/0216
摘要：
本发明提供一种使用半导体晶片的背结背触点太阳能电池及其制造方法。该背结背触点太阳能电池包括具有掺杂的基极区域、光俘获正面表面和掺杂的背面发射极区域的半导体晶片。正面和背面介电层和钝化层提供增强光阱和内反射。将背面基极和发射极触点连接至金属互连件，所述金属互连件在太阳能电池背面形成由叉指状电极和汇流条形成的金属化图案。
公开/授权文献
- CN102763225A 使用半导体晶片的高效率光伏背结背触点太阳能电池结构和制造方法 公开/授权日：2012-10-31
IPC分类:
