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公开(公告)号：CN102763226B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201080063494.8
申请日：2010-12-09
申请人： 速力斯公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/022458 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了背结背触点太阳能电池及其制造方法。所述背结背触点太阳能电池包括衬底，所述衬底具有：具有钝化层的光捕获正面表面，掺杂的基极区域，以及掺杂的背面发射极区域，所述背面发射极区域的极性与掺杂的基极区域相反。发射极上的背面钝化层和图案化的反射层形成光捕获背面反射镜。在所述太阳能电池的背面设置交叉指状金属化图案，并且为该电池的支撑提供永久性加强物。
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公开(公告)号：CN102844883B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180018589.2
申请日：2011-02-12
申请人： 速力斯公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L21/20 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了用于在可重复使用的半导体模板的两面制造TFSS的制造方法和设备，从而有效地提高衬底的产量并降低其制造成本。对于给定的模板重复使用循环次数，这种方法可将每一个制造出的衬底(TFSS)所分摊的起始模板成本降低一半。
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公开(公告)号：CN102763225B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080063303.8
申请日：2010-12-09
申请人： 速力斯公司
发明人： M·M·穆斯利赫 , P·卡普尔 , K·J·克拉默 , D·X·王 , S·苏特 , V·V·雷纳 , A·卡尔卡特拉 , E·范·科斯查伟 , D·哈伍德 , M·曼苏里 , M·温格特
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/022458 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1892 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种使用半导体晶片的背结背触点太阳能电池及其制造方法。该背结背触点太阳能电池包括具有掺杂的基极区域、光俘获正面表面和掺杂的背面发射极区域的半导体晶片。正面和背面介电层和钝化层提供增强光阱和内反射。将背面基极和发射极触点连接至金属互连件，所述金属互连件在太阳能电池背面形成由叉指状电极和汇流条形成的金属化图案。
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公开(公告)号：CN103918088A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280049551.6
申请日：2012-08-09
申请人： 速力斯公司
发明人： M·M·穆斯利赫 , P·卡普尔 , K·J·克拉默 , V·V·雷纳 , S·苏特 , A·德什潘德 , A·卡尔卡特拉 , G·奥尔森 , K·曼特齐 , T·斯塔尔库普 , G·D·卡米安 , D·X·王 , Y·苏 , M·温格特
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02327 , H01L31/03765 , H01L31/0392 , H01L31/049 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/075 , H01L31/1812 , H01L31/1896 , Y02E10/547
摘要： 本文描述了背接触太阳能电池背板的制作方法和结构，所述背板提供了太阳能电池衬底的加固和电互连,本文还描述了形成薄膜背接触太阳能电池的制作方法和结构。
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公开(公告)号：CN103132121A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210505374.X
申请日：2012-11-30
申请人： 大日本网屏制造株式会社 , 速力斯公司
发明人： 林德幸 , 宫路恭祥 , 米原圣一 , 稻原隆光 , 米原隆夫 , 迈赫达德·穆斯利赫 , 苏布拉马尼安·塔米尔马尼 , 卡尔-约瑟夫·克拉默 , 杰伊·阿什贾伊
CPC分类号： C25D17/001 , C25D11/005 , C25D11/32 , C25D17/06 , C25D17/08 , C25D17/10 , H01L21/02002 , H01L21/67173 , H01L21/6723 , H01L21/67754 , H01L21/68707 , H01L29/06
摘要： 一种阳极氧化装置，将基板浸渍在电解质溶液中来进行阳极氧化反应，具有：存积槽，其存积电解质溶液，保持部，其能够与各基板的周面以液密的状态接触并保持多个基板，移动机构，其使所述保持部在位于所述存积槽的外部的交接位置和位于所述存积槽的内部的处理位置之间移动，封闭部，其位于所述存积槽内，与所述保持部协同动作来对所述保持部所保持的多个所述基板的周面完成液密性的封闭；使保持有多个基板的所述保持部移动至所述处理位置，并且使所述封闭部动作，在使多个基板的周面处于液密的状态下进行氧化反应处理，在氧化反应处理结束之后，使所述封闭部不动作，并且使所述保持部从所述处理位置离开，以从所述存积槽搬出多个基板。
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公开(公告)号：CN102460716A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080030023.7
申请日：2010-05-05
申请人： 速力斯公司
CPC分类号： C25D11/32 , C25D11/005 , C25D17/001 , C25D17/06 , C25F3/12 , C25F7/00 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要： 本发明能够实现高生产率制造半导体基分离层（由单层或多层多孔半导体如多孔硅制成，包括单一孔隙度或多种孔隙度层）、光学反射器（由多层/多种孔隙度的多孔半导体如多孔硅制成），形成用于抗反射涂层、钝化层的多孔半导体（如多孔硅）以及多界面、多带隙太阳能电池（例如，通过在晶体硅薄膜或晶圆基太阳能电池上形成可变带隙的多孔硅发射器）。其他应用包括用于脱模的MEMS分离层和牺牲层的制造以及MEMS装置制造、膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅（使用带有最佳孔隙度并在之后氧化形成的多孔硅）。另外，本公开可应用在光伏、MEMS（包括传感器和致动器（单独操作的或与集成半导体微电子集成的））、半导体微电子芯片和光电子的一般领域。
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公开(公告)号：CN103918088B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201280049551.6
申请日：2012-08-09
申请人： 速力斯公司
发明人： M·M·穆斯利赫 , P·卡普尔 , K·J·克拉默 , V·V·雷纳 , S·苏特 , A·德什潘德 , A·卡尔卡特拉 , G·奥尔森 , K·曼特齐 , T·斯塔尔库普 , G·D·卡米安 , D·X·王 , Y·苏 , M·温格特
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/068 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02327 , H01L31/03765 , H01L31/0392 , H01L31/049 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , H01L31/075 , H01L31/1812 , H01L31/1896 , Y02E10/547
摘要： 本文描述了背接触太阳能电池背板的制作方法和结构，所述背板提供了太阳能电池衬底的加固和电互连,本文还描述了形成薄膜背接触太阳能电池的制作方法和结构。
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公开(公告)号：CN101657904B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200780045520.2
申请日：2007-10-07
申请人： 速力斯公司
发明人： 梅尔达德·莫斯莱
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/00 , H01L31/022425 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/1896 , Y02B10/12 , Y02E10/52
摘要： 一种锥状三维薄膜太阳能电池，包括：锥状三维薄膜太阳能电池基板，包括发射结区和掺杂基区；发射极金属化区域；和基底金属化区域，其中，所述锥状三维薄膜太阳能电池基板包括多个锥形单元电池。可选的，该锥状三维薄膜太阳能电池可安装在背侧镜上，以提高光捕获能力和转换效率。
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公开(公告)号：CN102427971A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021690.9
申请日：2010-04-14
申请人： 速力斯公司
发明人： 乔治·卡米安
IPC分类号： B60R25/02
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/45517 , C23C16/45591 , C23C16/4583 , C23C16/481 , C30B25/12 , C30B25/14
摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积反应器，其具有改善的化合物利用率和成本效益。本公开的晶片基座可以以堆叠结构用于同时加工多个晶片。本公开的反应器可为逆流耗尽型反应器，其具有均一的膜厚度以及高的化合物利用率。
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公开(公告)号：CN101657904A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200780045520.2
申请日：2007-10-07
申请人： 速力斯公司
发明人： 梅尔达德·莫斯莱
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： H01L31/00 , H01L31/022425 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/1896 , Y02B10/12 , Y02E10/52
摘要： 一种锥状三维薄膜太阳能电池，包括：锥状三维薄膜太阳能电池基板，包括发射结区和掺杂基区；发射极金属化区域；和基底金属化区域，其中，所述锥状三维薄膜太阳能电池基板包括多个锥形单元电池。可选的，该锥状三维薄膜太阳能电池可安装在背侧镜上，以提高光捕获能力和转换效率。
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