发明授权
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
-
申请号: CN201180013415.7申请日: 2011-02-08
-
公开(公告)号: CN102792432B公开(公告)日: 2015-11-25
- 发明人: 利萨·H·卡林 , 刘连军 , 亚历克斯·P·帕马塔特 , 保罗·M·维内贝格尔
- 申请人: 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人: 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李佳; 穆德骏
- 优先权: 12/722,225 2010.03.11 US
- 国际申请: PCT/US2011/023993 2011.02.08
- 国际公布: WO2011/112301 EN 2011.09.15
- 进入国家日期: 2012-09-11
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50
摘要:
晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20),以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30),以及当所述部分(72)被移除的时候,起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89),每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。
公开/授权文献
- CN102792432A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2012-11-21
IPC分类: