发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201180012932.2申请日： 2011-02-18
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公开(公告)号： CN102792677B公开(公告)日： 2015-08-05
- 发明人: 黑川义元 , 池田隆之 , 田村辉 , 上妻宗广 , 池田匡孝 , 青木健
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张欣
- 优先权： 2010-050486 2010.03.08 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/054211 2011.02.18
- 国际公布： WO2011/111549 EN 2011.09.15
- 进入国家日期： 2012-09-07
- 主分类号： H04N5/361
- IPC分类号： H04N5/361 ; H01L27/146 ; H04N5/3745
摘要：
在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。
公开/授权文献
- CN102792677A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2012-11-21
