发明公开
CN102794281A 直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法
- 专利标题(英): Method for washing graphite piece in thermal field of Czochralski single-crystal furnace
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申请号: CN201210232539.0申请日: 2012-07-06
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公开(公告)号: CN102794281A公开(公告)日: 2012-11-28
- 发明人: 潘永娥 , 杨正华
- 申请人: 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
- 申请人地址: 宁夏回族自治区中卫市中宁县新堡镇团结南路
- 专利权人: 宁夏隆基硅材料有限公司,银川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,无锡隆基硅材料有限公司
- 当前专利权人: 宁夏隆基硅材料有限公司,银川隆基硅材料有限公司,隆基绿能科技股份有限公司,无锡隆基硅材料有限公司
- 当前专利权人地址: 宁夏回族自治区中卫市中宁县新堡镇团结南路
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 罗笛
- 主分类号: B08B7/00
- IPC分类号: B08B7/00
摘要:
本发明公开了一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法,按照以下具体的操作步骤实施:安装石墨件;分别开启高温感应炉的炉体冷却水循环系统和电源冷却水循环系统;抽真空;加热,包括预热及升温过程,在1000℃之前升温过程中,按照每小时100℃的升温幅度进行,在1000-2000℃升温过程中,按照每小时50℃的升温幅度进行,在2000-2400℃升温过程中,按照每小时30℃的升温幅度进行;将高温感应炉内温度从2400℃均匀降温到80-100℃的出炉温度;石墨件出炉。本发明的方法,通过将SiC在高温下发生反应,延长石墨件的使用寿命15-30炉,适用于单晶炉中的各个石墨件的清洗。
公开/授权文献
- CN102794281B 直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法 公开/授权日:2014-06-18