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公开(公告)号：CN102794281A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210232539.0
申请日：2012-07-06
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法，按照以下具体的操作步骤实施：安装石墨件；分别开启高温感应炉的炉体冷却水循环系统和电源冷却水循环系统；抽真空；加热，包括预热及升温过程，在1000℃之前升温过程中，按照每小时100℃的升温幅度进行，在1000-2000℃升温过程中，按照每小时50℃的升温幅度进行，在2000-2400℃升温过程中，按照每小时30℃的升温幅度进行；将高温感应炉内温度从2400℃均匀降温到80-100℃的出炉温度；石墨件出炉。本发明的方法，通过将SiC在高温下发生反应，延长石墨件的使用寿命15-30炉，适用于单晶炉中的各个石墨件的清洗。
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公开(公告)号：CN102728582B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210232540.3
申请日：2012-07-06
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；打开单晶炉炉体，待热场冷却后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。本发明的方法，通过SiC与石英粉在高温下的反应，能够延长石墨件的使用寿命15-30炉；适用于直拉单晶硅中使用的各个石墨件。
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公开(公告)号：CN102728582A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210232540.3
申请日：2012-07-06
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种直拉法生长单晶硅用石墨件的清洗方法，具体步骤包括：将石英粉均匀地涂在石墨件腐蚀层上，将涂覆过石英粉的各个石墨件，按照生长单晶硅时各个石墨件的结构顺序安装于单晶炉内；抽真空，将石墨件逐步加热到1650℃-1700℃，缓慢降温，待热场温度≤100℃以下时拆炉；打开单晶炉炉体，待热场冷却后，取出各个石墨件；去除每个石墨件表面上的残余石英粉，并将每个石墨件表面清理干净即成。本发明的方法，通过SiC与石英粉在高温下的反应，能够延长石墨件的使用寿命15-30炉；适用于直拉单晶硅中使用的各个石墨件。
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公开(公告)号：CN102671885B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210154685.6
申请日：2012-05-18
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，包括在保温筒内外壁分别设有加热器及温控显示器；在保温筒的内底面上的底撑上放置有反应釜，反应釜与加热器同心分布；保温筒装有上盖板，反应釜装有反应釜盖板。本发明还公开了一种采用恒温水浴法去除单晶硅埚底料中石英的方法，利用前述的装置，向保温筒内加注自来水，后向已放置好反应釜内装入待去除石英的硅原料，再向反应釜内加入氢氟酸，盖合好反应釜盖板及上盖板，通过温控显示器启动及设置相关工作参数，直至实现反应要求即成。本发明保证了氢氟酸与埚底料在室温下显著加快反应速度、周期缩短、效率提高。
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公开(公告)号：CN102794281B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210232539.0
申请日：2012-07-06
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
IPC分类号： B08B7/00
摘要： 本发明公开了一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法，按照以下具体的操作步骤实施：安装石墨件；分别开启高温感应炉的炉体冷却水循环系统和电源冷却水循环系统；抽真空；加热，包括预热及升温过程，在1000℃之前升温过程中，按照每小时100℃的升温幅度进行，在1000-2000℃升温过程中，按照每小时50℃的升温幅度进行，在2000-2400℃升温过程中，按照每小时30℃的升温幅度进行；将高温感应炉内温度从2400℃均匀降温到80-100℃的出炉温度；石墨件出炉。本发明的方法，通过将SiC在高温下发生反应，延长石墨件的使用寿命15-30炉，适用于单晶炉中的各个石墨件的清洗。
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公开(公告)号：CN102671885A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210154685.6
申请日：2012-05-18
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，包括在保温筒内外壁分别设有加热器及温控显示器；在保温筒的内底面上的底撑上放置有反应釜，反应釜与加热器同心分布；保温筒装有上盖板，反应釜装有反应釜盖板。本发明还公开了一种采用恒温水浴法去除单晶硅埚底料中石英的方法，利用前述的装置，向保温筒内加注自来水，后向已放置好反应釜内装入待去除石英的硅原料，再向反应釜内加入氢氟酸，盖合好反应釜盖板及上盖板，通过温控显示器启动及设置相关工作参数，直至实现反应要求即成。本发明保证了氢氟酸与埚底料在室温下显著加快反应速度、周期缩短、效率提高。
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公开(公告)号：CN203462164U
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201320512798.9
申请日：2013-08-21
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 直拉法生长单晶硅用籽晶行程校准装置，直拉法生长单晶硅用籽晶行程校准装置，包括挂件和主杆，挂件和主杆固定连接，主杆上设有感应计数装置。感应计数装置包括感应器和数据显示器，数据显示器与主杆滑动连接，数据显示器固定连接有感应器；挂件包括主挂件和设置于主挂件一端的卡爪Ⅱ，主挂件的另一端固定安装有滑动副挂件，滑动副挂件上设有卡爪Ⅰ；主杆上设置有刻度尺。本实用新型设置感应计数装置，可以精确的测量出籽晶行程，准确测量出晶体长度，从而准确算出剩料量，准确判断是否收尾，克服了目测误差较大导致的物料浪费和收尾不稳的问题，提高了成晶率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN203513825U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320538329.4
申请日：2013-08-30
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 用于单晶炉的主保温筒，包括碳/碳的筒体，该筒体上镶嵌有石墨片。石墨片镶嵌在对应于主炉筒上热电偶的位置处。本实用新型主保温筒由碳/碳基体制备而成，石墨片与主保温筒形成完整的一体，不仅降低了成本，而且可及时准确的反应热场温度。
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公开(公告)号：CN203509803U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320515992.2
申请日：2013-08-22
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
IPC分类号： B24B7/10
摘要： 用于打磨导向芯的装置，包括平行砂轮与打磨底盘，平行砂轮通过与打磨底盘连接的悬臂设置在导向芯的上方，平行砂轮转动对导向芯进行打磨；打磨底盘包括定位圈和与定位圈配合的夹板，定位圈与夹板之间设有放置导向芯的导向芯定位孔。本实用新型将平行砂轮和导向芯固定在打磨底盘上，实现了通过平行砂轮转动对导向芯的打磨，其打磨精度高，保证了导向芯的重复利用。采用本实用新型打磨的导向芯，单晶切断断面垂直度降低了20%，导向芯成本降低了60%；不仅提高了单晶切断良品率，而且降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN202766654U
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201220224089.6
申请日：2012-05-18
申请人： 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司 , 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，包括在保温筒内外壁分别设有加热器及温控显示器；在保温筒的内底面上的底撑上放置有反应釜，反应釜与加热器同心分布；保温筒装有上盖板，反应釜装有反应釜盖板。本实用新型的装置使用时，向保温筒内加注自来水，后向已放置好反应釜内装入待去除石英的硅原料，再向反应釜内加入氢氟酸，盖合好反应釜盖板及上盖板，通过温控显示器启动及设置相关工作参数，直至实现反应要求即成。本实用新型保证了氢氟酸与埚底料在室温下显著加快反应速度、周期缩短、效率提高。
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