发明授权
- 专利标题: 堆叠电容结构及其制作方法
- 专利标题(英): Stack capacitor structure and forming method
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申请号: CN201210157851.8申请日: 2012-05-21
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公开(公告)号: CN102800565B公开(公告)日: 2015-04-29
- 发明人: 管式凡
- 申请人: 南亚科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾桃园县
- 专利权人: 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人: 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾桃园县
- 代理机构: 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀纯
- 优先权: 13/115,116 2011.05.25 US
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L23/64
摘要:
本发明公开了一种堆叠电容结构及其制作方法,堆叠电容结构中的各个电容的上电极是借由一连结节点互相电连结,形成堆叠电容结构的步骤如下:首先,提供一絶缘基底,絶缘基底包括至少一掺质絶缘材料层和至少一絶缘材料层,接着图案化絶缘基底,而形成一沟渠在絶缘材料层和掺质絶缘材料层中,沟渠的一内侧侧壁包括一第一区域和一第二区域,第二区域内的掺质絶缘材料层被完全移除而形成一孔洞,然后形成一上电极板围绕沟渠的内侧侧壁,并且上电极板填满孔洞,然后形成一电容介电层围绕上电极板,最后形成一储存节点填入沟渠。
公开/授权文献
- CN102800565A 堆叠电容结构及其制作方法 公开/授权日:2012-11-28
IPC分类: