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发明授权
CN102804329B 供在太阳能电池制造中使用的等离子体格栅注入系统 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 供在太阳能电池制造中使用的等离子体格栅注入系统
  • 专利标题（英）： Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
  • 申请号： CN201080025312.8
    申请日： 2010-06-23
  • 公开(公告)号： CN102804329B
    公开(公告)日： 2015-07-08
  • 发明人: B·阿迪比 , M·丘恩
  • 申请人： 因特瓦克公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 因特瓦克公司
  • 当前专利权人： 因特瓦克公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 北京市金杜律师事务所
  • 代理商 王茂华; 董典红
  • 优先权： 61/219,379 2009.06.23 US
  • 国际申请： PCT/US2010/039690 2010.06.23
  • 国际公布： WO2011/005582 EN 2011.01.13
  • 进入国家日期： 2011-12-07
  • 主分类号： H01J37/08
  • IPC分类号： H01J37/08
供在太阳能电池制造中使用的等离子体格栅注入系统
摘要：
一种离子注入方法，包括：在室的等离子体区内提供等离子体；正向偏置第一格栅板，其中第一格栅板包括多个孔；负向偏置第二格栅板，其中第二格栅板包括多个孔；使来自等离子体区中的等离子体的离子流过正向偏置的第一格栅板中的孔；使流过正向偏置的第一格栅板中的孔的离子的至少部分流过负向偏置的第二格栅板中的孔；以及向衬底注入流过负向偏置的第二格栅板中的孔的离子的至少部分。
摘要（英）：

A method of ion implantation comprising: providing a plasma within a plasma region of a chamber; positively biasing a first grid plate, wherein the first grid plate comprises a plurality of apertures; negatively biasing a second grid plate, wherein the second grid plate comprises a plurality of apertures; flowing ions from the plasma in the plasma region through the apertures in the positively-biased first grid plate; flowing at least a portion of the ions that flowed through the apertures in the positively-biased first grid plate through the apertures in the negatively-biased second grid plate; and implanting a substrate with at least a portion of the ions that flowed through the apertures in the negatively-biased second grid plate.

公开/授权文献
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