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公开(公告)号：CN107039251B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710051689.4
申请日：2011-11-17
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/324 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 一种用于太阳能电池的离子注入的装置和方法。本公开提供了提高的产量，并且修复或消除了SPER退火步骤后的缺陷。利用连续高剂量的注入，衬底被连续注入，造成有效的缺陷累积(即非晶化)，同时可抑制动态的自退火。
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公开(公告)号：CN106847736B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710017381.8
申请日：2012-11-08
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/68 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基板处理系统和方法。具体地，一种用于处理基板的系统具有真空外壳和定位成处理在真空外壳内部的处理区中的晶片的处理室。提供两个轨道组件，一个轨道组件在处理区的每侧上。两个卡盘阵列每个在轨道组件之一骑行上，使得每个卡盘阵列在一个轨道组件上悬臂式伸展并支撑多个卡盘。轨道组件耦合到升高机构，其将轨道放置在用于处理的较高的位置上以及放置在用于返回卡盘组件的较低的位置处用于装载新晶片。拾取头组件将晶片从输送机装载到卡盘组件上。拾取头具有从晶片的正侧拾取晶片的多个静电卡盘。在处理卡盘中的冷却通道用于产生气垫以在由拾取头输送时帮助使晶片对齐。
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公开(公告)号：CN108604568A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780007301.9
申请日：2017-01-18
申请人： 因特瓦克公司
发明人： T·布卢克 , B·阿迪博 , V·普拉巴卡 , W·E·小伦斯塔得雷
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67288 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/6875 , H01L22/12
摘要： 一种用于晶片处理的卡盘，该卡盘抵消晶片的热膨胀的有害影响。而且，尽管晶片的热膨胀，卡盘和阴影掩模布置的组合仍维持掩模中的开口与晶片之间的相对对准。一种用于通过离子注入制造太阳能电池，同时在晶片的热膨胀期间维持注入的特征的相对对准的方法。
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公开(公告)号：CN104471697B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201280070679.0
申请日：2012-12-26
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/566 , C23C14/568
摘要： 公开了一种基板处理系统，其支持组合式的静态和经过处理。而且，提供了一种系统体系结构，其减小了覆盖区尺寸。该系统构造成使得基板在其中被垂直地处理，并且每个室都具有与其一个侧壁附接的处理源，其中另一个侧壁返回到互补的处理室。室系统能够由例如铝的单个金属块经机械加工而成，其中从两侧对金属块进行机械加工，从而壁保持且分隔每两个互补的处理室。
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公开(公告)号：CN107039251A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710051689.4
申请日：2011-11-17
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： H01L21/223 , H01L21/324 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L21/2236 , H01L21/324 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种用于太阳能电池的离子注入的装置和方法。本公开提供了提高的产量，并且修复或消除了SPER退火步骤后的缺陷。利用连续高剂量的注入，衬底被连续注入，造成有效的缺陷累积(即非晶化)，同时可抑制动态的自退火。
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公开(公告)号：CN104685095A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380026127.4
申请日：2013-04-19
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： C23C14/04
CPC分类号： H01L31/1892 , C23C14/042 , C23C14/50 , C23C16/042 , C23C16/4585 , H01L21/6734 , H01L21/67346 , H01L31/18
摘要： 用于在处理期间支撑基片的装置，其具有晶片承载器，所述晶片承载器具有用于支撑基片并将基片限制到预定位置的基座。内掩模被构造用于放置在基片的顶部上，所述内掩模具有用于掩蔽基片的未被处理的部分、但暴露基片的剩余部分以用于处理的开口图案。外掩模被构造用于放置在内掩模的顶部上，所述外掩模具有暴露内掩模的具有所述开口图案的那部分、但覆盖内掩模的外周的开口。
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公开(公告)号：CN104603324A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380046056.4
申请日：2013-07-05
申请人： 因特瓦克公司
发明人： D·F·W·陈 , D·W·布朗 , C·刘 , S·D·哈尼克斯四世
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0057 , C23C14/0605 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/562 , H01J37/3426
摘要： 用于沉积透明和清晰的氢化的碳膜例如氢化的类金刚石碳膜的物理汽相沉积(PVD)室。构建室体用于保持其中的真空条件，所述室体在其侧壁上具有窗孔。将具有孔的等离子体笼连接至该侧壁，使所述孔与窗孔重叠。使两个溅射靶位于等离子体笼内的阴极上并彼此相对地取向，将其构建为保持其间的等离子体，并将等离子体限制在等离子体笼内。笼内的等离子体从所述靶溅射材料，所述材料然后通过孔和窗孔并在衬底上着陆。在处理期间以经过式的方式不断移动衬底。
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公开(公告)号：CN104582863A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380033430.7
申请日：2013-04-26
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： B05D3/00
CPC分类号： H01L21/67709 , H01L21/67173 , H01L21/67736 , H01L21/67739 , H01L21/67754 , H01L21/67769 , H01L21/67775 , H01L21/67778 , H01L21/67781 , H01L21/68742 , H01L21/68785
摘要： 用于在等离子室中处理基片的系统，使得所有的基片传送及装载/卸载操作是在大气环境中被执行，但处理是在真空环境中被执行。基片在承载器上贯穿该系统被传送。该系统的各室被线性地布置，使得各承载器从一个室直接地移动到下一个室。被放置在该系统的各室上方或下方的传送机，在处理完成之后将各承载器返回到系统的入口区域。基片的装载和卸载可以在系统的一侧处被执行，或者装载可以在入口侧处完成而卸载在出口侧处完成。
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公开(公告)号：CN104114741A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280059621.6
申请日：2012-11-02
申请人： 因特瓦克公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , C23C14/56 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3452
摘要： 一种溅射系统，其具有带输入端口和输出端口的处理室，和定位在所述处理室的壁上的溅射靶。可动的磁体配置被定位在所述溅射靶的后面并且在所述靶的后面往复地滑动。输送机以恒定速度连续地运输基片经过所述溅射靶，使得在任意给定时刻，若干基片在前缘和后缘之间面对所述靶。所述可动的磁体配置以至少是所述输送机的所述恒定速度几倍的速度滑动。旋转区域被限定在靶的所述前缘和后缘的后面，其中所述磁体配置当其进入所述旋转区域时减速、且当其在所述旋转区域内调转滑动方向时加速。
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