发明授权
- 专利标题: 一种四氯化硅提纯方法
- 专利标题(英): Purification method of silicon tetrachloride
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申请号: CN201210295367.1申请日: 2012-08-17
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公开(公告)号: CN102807222B公开(公告)日: 2014-04-02
- 发明人: 裴艳红 , 李强 , 马国栋 , 耿玉侠
- 申请人: 中国天辰工程有限公司 , 天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司
- 申请人地址: 天津市北辰区京津路1号
- 专利权人: 中国天辰工程有限公司,天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司
- 当前专利权人: 中国天辰工程有限公司,天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市北辰区京津路1号
- 代理机构: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司
- 代理商 韩敏
- 主分类号: C01B33/107
- IPC分类号: C01B33/107
摘要:
本发明提供一种四氯化硅提纯方法,采用隔板塔提纯四氯化硅,主要包括以下步骤,粗四氯化硅进入隔板精馏塔的隔板段进料侧;经分离后在隔板段的另一侧得到纯四氯化硅产品,塔顶得到轻组分和四氯化硅混合物,塔釜得到了重组分和四氯化硅混合物。本四氯化硅提纯方法实现了塔内完全热耦合,避免了能量的浪费,降低了精馏过程的能耗,从而降低多晶硅的生产成本;本发明与传统的四氯化硅提纯方法相比,流程缩短了,设备减少了,节省了占地面积;与传统的两塔方法相比,本四氯化硅提纯工艺中用隔板塔可以节约投资大于30%,降低能耗30%-50%。
公开/授权文献
- CN102807222A 一种四氯化硅提纯方法 公开/授权日:2012-12-05