发明公开
- 专利标题: 用于生产半导体材料箔的装置和方法
- 专利标题(英): Apparatus and method for the production of semiconductor material foils
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申请号: CN201180011045.3申请日: 2011-02-08
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公开(公告)号: CN102834553A公开(公告)日: 2012-12-19
- 发明人: 阿克塞尔·乔治·舍内克尔 , 皮埃尔-伊夫·毕勋 , 伊尔柯·盖尔伯特·霍克 , 埃里克·德伊格尔
- 申请人: RGS发展有限公司
- 申请人地址: 荷兰北荷兰省
- 专利权人: RGS发展有限公司
- 当前专利权人: 斯帝奇BOL 知识产权公司
- 当前专利权人地址: 荷兰朗德克
- 代理机构: 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理商 张华卿; 郑霞
- 优先权: 2004209 2010.02.08 NL
- 国际申请: PCT/NL2011/050087 2011.02.08
- 国际公布: WO2011/096815 EN 2011.08.11
- 进入国家日期: 2012-08-24
- 主分类号: C30B28/10
- IPC分类号: C30B28/10 ; C30B15/00 ; C30B29/06
摘要:
一种用于生产半导体材料箔的铸造设备,包括铸造框架和基片带。铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁,侧壁的出口侧壁位于半导体材料箔的输出位置处。出口侧壁设有出口缝。铸造设备还包括局部力施加装置,以在出口缝的位置处将局部增大的外力施加在熔化的半导体材料上,以使作用在出口缝处的熔化材料上的外部压力增大。
公开/授权文献
- CN102834553B 用于生产半导体材料箔的装置和方法 公开/授权日:2016-05-18