发明公开
- 专利标题: 粒子源及其制造方法
- 专利标题(英): Particle source and manufacturing method thereof
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申请号: CN201110175692.X申请日: 2011-06-22
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公开(公告)号: CN102842474A公开(公告)日: 2012-12-26
- 发明人: 刘华荣
- 申请人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
- 申请人地址: 安徽省合肥市高新区香樟大道199号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市高新区香樟大道199号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 吕雁葭
- 主分类号: H01J9/02
- IPC分类号: H01J9/02 ; H01J37/08 ; H01J37/06
摘要:
本发明提供了一种用于制造粒子源的方法,包括:将金属丝置于真空环境中并通入活性气体和催化气体,对金属丝的温度进行调节,并对金属丝施加正高压V,使得金属丝表面的活性气体离解,在金属丝头部侧面产生刻蚀带,在该刻蚀带内发生场致刻蚀;场致刻蚀使得金属丝头部顶端处表面电场增强,直到大于金属丝材料的场致蒸发电场,使得此处的金属原子被蒸发出去;在场致刻蚀触发了场致蒸发之后,场致刻蚀和场致蒸发这两种机制相互调节直到金属丝头部形状变成了由底座和底座上的针尖组成,其中场致刻蚀发生在侧面,形成了底座,而场致蒸发发生在顶端,形成了针尖;以及当获得具有预定形状的金属丝头部时,停止场致刻蚀和场致蒸发。
公开/授权文献
- CN102842474B 粒子源及其制造方法 公开/授权日:2015-11-25