发明授权
- 专利标题： MOS晶体管及其形成方法
- 专利标题（英）： Metal oxide semiconductor (MOS) transistor and forming method thereof
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申请号： CN201110180765.4申请日： 2011-06-29
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公开(公告)号： CN102856203B公开(公告)日： 2015-04-29
- 发明人: 三重野文健
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L29/78 ; H01L27/092 ; H01L29/06
摘要：
一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层具有暴露半导体衬底的开口；沿所述开口在半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成半导体填充层；形成填充满所述开口的栅极结构，本发明还提供采用上述方法的CMOS晶体管的形成方法，以及相应的MOS晶体管和CMOS晶体管，通过本发明可以降低PMOS晶体管的阈值电压。
公开/授权文献
- CN102856203A MOS晶体管及其形成方法 公开/授权日：2013-01-02
IPC分类:
