半导体器件及其制造方法

发明公开

请登陆查看更多内容

专利标题： 半导体器件及其制造方法
专利标题（英）： Semiconductor device and method of fabricating same
申请号： CN201210226910.2

申请日： 2012-06-29
公开(公告)号： CN102856383A

公开(公告)日： 2013-01-02
发明人: 朴兴圭 , 金男奎 , 宋宇彬 , 郑秀珍 , 金永弼 , 李炳讃 , 李善佶
申请人： 三星电子株式会社
申请人地址： 韩国京畿道
专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人： 三星电子株式会社
当前专利权人地址： 韩国京畿道
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 翟然
优先权： 10-2011-0065545 2011.07.01 KR
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06

摘要：

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。

摘要（英）：

A semiconductor device comprises a substrate and first and second stress-generating epitaxial regions on the substrate and spaced apart from each other. A channel region is on the substrate and positioned between the first and second stress-generating epitaxial regions. A gate electrode is on the channel region. The channel region is an epitaxial layer, and the first and second stress-generating epitaxial regions impart a stress on the channel region.

公开/授权文献

CN102856383B 半导体器件及其制造方法公开/授权日：2017-06-09

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的