发明公开
CN102888599A 在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法
- 专利标题(英): Method for preparing high-density metal oxide membrane on porous base material
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申请号: CN201210430697.7申请日: 2012-11-01
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公开(公告)号: CN102888599A公开(公告)日: 2013-01-23
- 发明人: 朱星宝 , 刘美林 , 关成志 , 吕喆 , 魏波 , 黄喜强 , 张耀辉 , 苏文辉 , 甄良
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 金永焕
- 主分类号: C23C20/08
- IPC分类号: C23C20/08
摘要:
在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法,涉及制备高致密度金属氧化物薄膜的方法的领域。本发明是要解决现有技术中在多孔基底材料上制备得到的金属氧化物薄膜致密度较低,不能满足实际应用的技术问题。本发明提供的在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法:一、在多孔基底材料覆盖一层前驱体溶液,二、施加电场并挥发溶剂,三、烧结。本发明应用于航空、航天、机械加工和电子信息领域。
公开/授权文献
- CN102888599B 在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法 公开/授权日:2014-06-11