一种基于机器学习高强韧耐腐蚀中锰钢的热处理工艺设计方法

    公开(公告)号:CN118762780A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410772216.3

    申请日:2024-06-17

    Inventor: 刘丽 王佳宇 甄良

    Abstract: 本发明提出了一种基于机器学习高强韧耐腐蚀中锰钢的热处理工艺设计方法,属于金属材料热处理工艺设计领域,基于热轧态中锰钢,设计正交试验获得中锰钢热处理工艺参数和性能的数据集;通过数据增强进行扩充;并分别建立热处理工艺参数和材料性能之间的机器学习模型;根据模型误差对机器学习模型进行选择,定义中锰钢力学及耐腐蚀性能综合指标,使用贝叶斯算法对热处理工艺参数进行优化;将热轧态中锰钢加热至770℃保温10min,水淬至室温;随后在640℃进行30min奥氏体逆相变退火,得到基于机器学习设计的高强韧耐腐蚀中锰钢;本发明解决了目前制定中锰钢热处理工艺参数步骤繁琐、周期长和成本高的技术问题。

    一种高耐蚀高屈服强度的中锰钢及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118460931A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410752367.2

    申请日:2024-06-12

    Inventor: 刘丽 肖恩慧 甄良

    Abstract: 一种高耐蚀高屈服强度的中锰钢及其制备方法和应用。本发明属于中锰钢热处理技术领域。本发明为解决目前现有高强韧中锰钢无法满足对于耐蚀性能要求的技术问题。本发明的中锰钢由铁素体和奥氏体两相组织组成,铁素体中均匀分布有碳化物,碳化物体积分数为30~50%。本发明的方法:将热轧态中锰钢完全奥氏体化后于605~615℃下退火,得到高耐蚀高屈服强度的中锰钢。本发明通过完全奥氏体化温度区间和两相区临界退火的温度区间的协同优化,制备出具有亚微米级别的铁素体和奥氏体两相组织和纳米级别析出的碳化物,在具有优异力学性能的同时兼具良好的耐蚀性,可作为海洋装备工程用钢应用。

    一种疲劳试验机用金属材料低温断裂韧性测试装置

    公开(公告)号:CN119198404A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411608243.3

    申请日:2024-11-12

    Inventor: 王标标 刘丽 甄良

    Abstract: 本发明公开了一种疲劳试验机用金属材料低温断裂韧性测试装置,涉及材料力学性能测试技术领域,解决了无法在同一套测试装置上进行室温和低温材料测试的问题。本发明包括测试桶、内胆、引伸计、上接头和下接头,内胆设置于测试桶内部;引伸计与样品接触,并返回实时力学信号;上接头上端和疲劳试验机上方的液压夹头连接,下接头下端穿过内胆以及测试桶和疲劳试验机下方的液压夹头连接;上接头和下接头相对,对试样进行夹持;下接头和内胆之间设置有密封结构。本发明无需对试验机进行任何改造,通过更换不同配件,获得对不同尺寸样品的测试条件,同时也可以更换测试夹具,来进行不同环境条件下的材料力学性能测试。

    一种水系钙离子电池正极活性材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114074956B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202010842963.1

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 一种水系钙离子电池正极活性材料及其制备方法和应用。本发明属于钙离子电池领域。本发明的目的在于解决现有钙离子电池比容量低,循环性差的技术问题。正极活性材料为纳米线或纳米带状的钒酸钾;所述钒酸钾为K2V6O16·nH2O,其中0≤n≤2.7。方法:将偏钒酸铵和氯化钾溶于去离子水,然后调节pH值至2~4,再进行水热反应,产物离心洗涤、冷冻干燥后得到正极活性材料。将水系钙离子电池正极活性材料作为钙离子电池正极材料的组成物应用在钙离子电池中。本发明采用一步水热法合成了钒酸钾电极活性材料,其作为钙离子电池正极材料,电化学性能良好,表现了比较高的比容量和良好的循环性能,具有良好的综合电化学性能。

    碳和氮化碳面内共轭的二维吸波材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117143563A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310957010.3

    申请日:2023-08-01

    Abstract: 碳和氮化碳面内共轭的二维吸波材料及其制备方法和应用。本发明属于纳米吸波材料技术领域。本发明的目的是为了解决现有碳基吸波材料损耗机制单一、难以实现阻抗匹配和衰减特性平衡、吸波性能较差以及制备工艺复杂的技术问题。本发明以酚醛树脂微粉和三聚氰胺为原料、氯化钠为模板,通过聚合‑煅烧两步法制备得到了碳和氮化碳面内共轭的二维结构AC‑CN吸波材料,AC‑CN纳米片的厚度约为4‑7 nm,横向尺寸为微米级,且具有类异质结的碳/氮化碳界面、丰富的面内缺陷和空位以及合适的“无序含有序”结构为材料引入了强烈的介电损耗,最终实现了优异的吸波性能。可用于吸收2‑18 GHz频率范围内电磁波。

    基于计算机仿真优化铝合金构件机加工序列的方法及计算机设备

    公开(公告)号:CN114169225B

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202111362552.3

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本发明公开了基于计算机仿真优化铝合金构件机加工序列的方法及计算机设备,属于机加工技术领域,解决现有机加工过程中仿真结果的不可靠以及针对仿真结果工艺优化的不合理的问题。本发明的方法包括:获取构件坯料的材料参数;根据构件的工程图,获取构件坯料切割后的三维模型;对切割后的三维模型进行网格划分;对网格划分后的三维模型进行热处理仿真,获取热处理仿真后模型的应力场分布和变形场分布;对热处理仿真后的三维模型进行机加工仿真,获取机加工仿真后模型的应力场分布和变形场分布;根据机加工仿真后模型的应力场分布和变形场分布,利用遗传算法,获取优化的机加工序列。本发明适用于铝合金构件的机加工。

    一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法

    公开(公告)号:CN113707560B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202010435764.9

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显,以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下:一、通过机械剥离方法制备TMDs层,通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧,然后进行退火处理;二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层,然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层,并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上,然后进行退火处理,退火后自然冷却至室温,得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效,不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内,可有效地改善TMDs的电接触。

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