• Patent Title: 电荷存储设备、其制备方法、其导电结构的制备方法、使用其的移动电子设备以及包含其的微电子设备
  • Patent Title (English): Charge storage device, method of making same, method of making an electrically conductive structure for same, mobile electronic device using same, and microelectronic device containing same
  • Application No.: CN201080066031.7
    Application Date: 2010-04-02
  • Publication No.: CN102906834A
    Publication Date: 2013-01-30
  • Inventor: D·S·加德纳E·C·汉娜R·陈J·L·古斯塔夫松
  • Applicant: 英特尔公司
  • Applicant Address: 美国加利福尼亚
  • Assignee: 英特尔公司
  • Current Assignee: 英特尔公司
  • Current Assignee Address: 美国加利福尼亚
  • Agency: 永新专利商标代理有限公司
  • Agent 陈松涛; 王英
  • International Application: PCT/US2010/029821 2010.04.02
  • International Announcement: WO2011/123135 EN 2011.10.06
  • Date entered country: 2012-09-29
  • Main IPC: H01G4/005
  • IPC: H01G4/005
电荷存储设备、其制备方法、其导电结构的制备方法、使用其的移动电子设备以及包含其的微电子设备
Abstract:
在一个实施例中,电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115,125)上的开口(112、122)。在另一实施例中,所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。
Patent Agency Ranking
0/0