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公开(公告)号：CN102906834B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201080066031.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/86 , H01G2/02 , H01G9/048 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/52 , H01G11/54 , H01L28/82 , Y02E60/13
Abstract: 在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。
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公开(公告)号：CN103988270A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201180075513.3
申请日：2011-12-14
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01G11/24 , H01G11/04 , H01G11/08 , H01G11/12 , H01G11/14 , H01G11/84 , H01G13/00 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，在电化学蚀刻浴中电化学蚀刻导电衬底的多孔结构的同时原位测量导电衬底的多孔结构，直到获得预定值为止，此时可以从电化学蚀刻浴中移出导电衬底。在另一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，测量导电多孔结构以确定导电多孔结构的储能容量。随后减小导电多孔结构的储能容量，直到获得预定储能容量值为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104025225B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201180074610.0
申请日：2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置，储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010)，多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122)，并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中，多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成，并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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公开(公告)号：CN103430464A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180061559.X
申请日：2011-12-08
Applicant: 英特尔公司
IPC: H04B10/114
CPC classification number: H04B10/1143
Abstract: 在某些实施例中，光收发器与计算架相关联，且适于通过空气向与第二计算架相关联的第二光收发器发射和/或从其接收一个或多个光束以在该计算架与第二计算架之间传达信息。描述并要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN103988270B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201180075513.3
申请日：2011-12-14
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01G11/24 , H01G11/04 , H01G11/08 , H01G11/12 , H01G11/14 , H01G11/84 , H01G13/00 , Y02E60/13
Abstract: 在本发明的一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，在电化学蚀刻浴中电化学蚀刻导电衬底的多孔结构的同时原位测量导电衬底的多孔结构，直到获得预定值为止，此时可以从电化学蚀刻浴中移出导电衬底。在另一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，测量导电多孔结构以确定导电多孔结构的储能容量。随后减小导电多孔结构的储能容量，直到获得预定储能容量值为止。
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公开(公告)号：CN104025225A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180074610.0
申请日：2011-11-03
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: B81B7/0077 , C25F3/02 , C25F3/12 , H01G11/04 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01M4/00 , H01M4/044 , H01M4/386 , Y02E60/13
Abstract: 一种储能结构包括储能装置，储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010)，多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122)，并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中，多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成，并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。
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公开(公告)号：CN102906834A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201080066031.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01G4/005
CPC classification number: H01G11/86 , H01G2/02 , H01G9/048 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/52 , H01G11/54 , H01L28/82 , Y02E60/13
Abstract: 在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。
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