发明授权
- 专利标题： 通过装设附加保护层以在运送期间保护半导体装置的反应性金属表面的技术
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申请号： CN201210071418.2申请日： 2012-03-16
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公开(公告)号： CN102915921B公开(公告)日： 2017-06-09
- 发明人: M·列 , J·霍海格 , A·奥特
- 申请人： 格罗方德半导体公司 , 格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
- 申请人地址： 英属开曼群岛大开曼岛;
- 专利权人： 格罗方德半导体公司,格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
- 当前专利权人： 格罗方德半导体公司,格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司
- 当前专利权人地址： 英属开曼群岛大开曼岛;
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 优先权： 102011005642.4 20110316 DE
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/02 ; H01L23/28
摘要：
一种通过装设附加保护层以在运送期间保护半导体装置的反应性金属表面的技术，在形成以铜为基础之复杂金属化系统时，最终金属化层可接受以铜为基础的接触区域，可基于专属保护层来钝化该接触区域的表面，从而允许在运送装置至远端制造场所之前图案化钝化层堆栈。因此，在远端制造场所，基于有效的无掩膜湿化学蚀刻制程，可有效地再暴露受保护的接触面。
公开/授权文献
- CN102915921A 通过装设附加保护层以在运送期间保护半导体装置的反应性金属表面的技术 公开/授权日：2013-02-06
IPC分类:
