发明授权
- 专利标题: 用于提取带离子束的电感耦合等离子源
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申请号: CN201180027850.5申请日: 2011-04-21
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公开(公告)号: CN102934195B公开(公告)日: 2015-07-29
- 发明人: 科斯特尔·拜洛 , 杰·舒尔 , 约瑟·欧尔森 , 法兰克·辛克莱 , 丹尼尔·迪斯塔苏
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明; 张洋
- 优先权: 12/767,125 2010.04.26 US
- 国际申请: PCT/US2011/033457 2011.04.21
- 国际公布: WO2011/139587 EN 2011.11.10
- 进入国家日期: 2012-12-05
- 主分类号: H01J37/08
- IPC分类号: H01J37/08 ; H01J37/317
摘要:
揭示一种用于提取带离子束的电感耦合等离子源,其能够利用电感耦合等离子生产来产生高密度宽带离子束。与常规电感耦合等离子源相反,本揭示所描述的电感耦合等离子源不是圆柱形的。事实上,将所述源界定成使得其宽度(w)大于其高度(h),所述宽度(w)为沿着其提取所述束的维度。可界定所述源的深度(d),使从天线(203)到等离子的能量转移最大化。在另一实施例中,使用包围所述电感耦合等离子源的多尖形磁场(210,211,212),进一步增加电流密度且改良所提取的离子束的均匀性。亦可通过包含气流率以及输入射频功率的若干个独立的控制要素来控制离子束的均匀性。
公开/授权文献
- CN102934195A 高密度宽带离子束产生用的小外观因子等离子源 公开/授权日:2013-02-13