发明公开
CN102943189A 一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing novel vacuum high-pressure copper-chromium contact materials
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申请号: CN201210479659.0申请日: 2012-11-23
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公开(公告)号: CN102943189A公开(公告)日: 2013-02-27
- 发明人: 王成磊 , 高原 , 徐晋勇 , 张光耀 , 蔡航伟 , 马志康
- 申请人: 桂林电子科技大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人: 桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 代理机构: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
- 代理商 巢雄辉
- 主分类号: C22C9/00
- IPC分类号: C22C9/00 ; C22C1/02 ; H01H1/025
摘要:
本发明公开了一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法,它是将冶金熔炼的铜-铬合金,利用激光束快速扫描铜-铬合金表面,进行表面重熔,制备出晶粒细小,均匀弥散的呈颗粒状铬合金的新型触头材料。采用该方法制作的铜铬系触头致密度高,均匀性好,结合强度高,杂质含量低,能有效地提高真空开关的可靠性。
公开/授权文献
- CN102943189B 一种真空高压铜铬系触头材料的制备方法 公开/授权日:2015-01-07