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公开(公告)号：CN104109830B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410350872.0
申请日：2014-07-22
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C23C10/08
摘要： 本发明公开了一种表面渗铪耐高温奥氏体不锈钢是制备方法，是将奥氏体不锈钢试样和欲渗元素铪的源极分别放置在真空室内设置的两个阴极上，采用公共阳极并接地；利用辉光放电溅射、空心阴极效应、尖端放电技术，将铪以原子、离子和原子团的形式溅射出来，这些铪粒子团吸附于奥氏体不锈钢试样表面在高温下扩散进入内部，随工艺时间延长，形成含铪合金层。本发明是采用等离子合金化方法，将铪渗入奥氏体不锈钢表面，形成含有铬、镍、钛和铪的高合金层。该合金层成分易于控制并呈梯度分布，合金层与奥氏体钢基体为固态冶金结合，结合强度高，不会剥落，是一种节约合金元素、成本低、无环境污染的新型高温材料制备方法，最高使用温度可达900℃以上。
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公开(公告)号：CN104759625B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510138884.1
申请日：2015-03-27
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种使用激光3D打印技术制备铝合金结构件的材料及方法，将CAD三维实体模型切片技术，数字编程技术，激光快速成形技术，材料合成技术等技术融合为一体，在无需任何专用模具和工装条件下，在铝合金基体上，以质量百分比为：Al：80.0，Fe：3.0，Cu：2.0，Si：3.0，Ti：4.0，B:3.0，Mn：1.5，C：2.0，Ce：1.5的粉末为原料通过激光束快速熔化、凝固进行“多层熔覆堆积”，直接从零件数字模型一步完成高性能、全致密、高疲劳寿命等综合性能好的铝合金结构件。该方法成本低、周期短、材料利用率高，适用于大型、复杂铝合金结构件的一体化快速成型制造，制备的零件形状和大小不受限制，可以满足结构整体化的要求。
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公开(公告)号：CN103628060B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201310572541.7
申请日：2013-11-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料及其制备方法，利用等离子表面合金化和多弧离子镀复合处理技术，首先在铁基材料表面渗入合金元素钼，形成呈冶金结合的含钼渗层，然后利用溅射镀进行沉积氮化钛，以形成一种表面渗钼+沉积氮化钛的新型电极材料。本发明采用量大面广价格低廉的钢铁材料作为电极材料，具有加工性能好、导电性好、强度高、成本低的优点。表面经过渗钼和沉积氮化钛处理后具有耐腐蚀、耐磨、强度和硬度高、电阻率较小、结合力强的优点。能大幅度提高电极的比能量与比功率，接触电阻保持恒定，电能消耗稳定并且较小。
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公开(公告)号：CN102943189B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210479659.0
申请日：2012-11-23
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法，它是将冶金熔炼的铜-铬合金，利用激光束快速扫描铜-铬合金表面，进行表面重熔，制备出晶粒细小，均匀弥散的呈颗粒状铬合金的新型触头材料。采用该方法制作的铜铬系触头致密度高，均匀性好，结合强度高，杂质含量低，能有效地提高真空开关的可靠性。
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公开(公告)号：CN104109842A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410350864.6
申请日：2014-07-22
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种表面渗铪+渗碳的耐高温不锈钢及其制备方法，是将奥氏体不锈钢试样和欲渗元素铪的源极分别放置在真空室内设置的两个阴极上，采用公共阳极；利用辉光放电溅射、空心阴极效应、尖端放电技术，将铪以原子、离子和原子团的形式溅射出来，这些铪粒子团吸附于试样表面在高温下扩散进入内部，随工艺时间延长，形成含铪合金层；其次将已经获得合金层进行渗碳处理。本发明的创新点是：利用铪、铬和钛碳化物熔点高、结合力强、稳定性好、耐高温的特点、铬氧化物抗高温性能好的优点以及铪能够有效阻止铬、钛、在高温扩散的特征，在奥氏体表面形成致密碳化物和氧化物合金层，有效阻止高温氧气向内部的扩散。
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公开(公告)号：CN103643203A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310572296.X
申请日：2013-11-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种在铁基LED引线支架表面沉积铜+钨复合涂层的工艺，它是利用磁控溅射镀或多弧离子镀或射频溅射镀技术，在铁基引线支架表面首先沉积一定厚度的纯铜，之后，再沉积一层纯钨，形成铜+钨复合涂层。该技术可替代原来电镀铜，再电镀银的引线支架，具有导电、散热、防氧化、防潮、可焊性等方面的优良性能，涂层附着力好，制造成本低，彻底解决了电镀存在的环境污染问题。
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公开(公告)号：CN103628032A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310572300.2
申请日：2013-11-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法，它是利用磁控溅射技术在基体表面沉积一层纳米级的纯金属或合金过渡层，再利用磁控溅射技术和电弧离子镀技术共同快速沉积一层氮化钛层，之后再利用磁控溅射技术沉积一层纳米级的氮化钛层。本发明利用磁控溅射沉积微细纳米粒子，提高过渡层的结合力；利用电弧离子镀沉积速度快的特点提高效率；利用磁控溅射沉积一层致密的和高质量的纳米级的氮化钛层提高表面质量。
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公开(公告)号：CN102936724A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210479338.0
申请日：2012-11-23
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种铝合金表面镍基合金层的强化方法，该方法将一定比例的稀土La和Ce掺入镍基合金粉末中，通过激光表面熔覆技术，使铝合金表面获得呈冶金结合的高硬度和高耐磨耐腐蚀性的镍基合金层，硬度可达1350HV，耐磨性和耐腐蚀性能，较现有技术分别提高一倍。这对拓展铝合金的应用范围，扩大铝合金在尖端领域的应用将有重要作用。
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公开(公告)号：CN104120395B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410349445.0
申请日：2014-07-22
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种在铁基材料表面沉积铁+铬+钼+钛+氮化钛的混合多层纳米强化层的工艺，是利用磁控溅射技术，在铁基材料表面依次沉积纳米级厚度的混合过渡层，混合层铁和铬、铬和钼、钼和钛之间没有明显的分界线，为混合逐步形成的过渡层，最后再复合沉积纳米级的氮化钛强化层，形成结合力良好的复合强化层。本发明采用磁控溅射在铁基材料表面沉积铁+铬+钼+钛+氮化钛的多层纳米强化层，形成的过渡层成分梯度分布平缓，残余内应力较小，大大增加了膜基结合强度，增强了与基体的结合力，其硬质陶瓷薄膜的特点，具有耐腐蚀、耐磨损、化学稳定性好、韧性好、低应力等优点，能够大幅度提高工件耐磨性，耐腐蚀性等性能。
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公开(公告)号：CN103628032B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310572300.2
申请日：2013-11-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法，它是利用磁控溅射技术在基体表面沉积一层纳米级的纯金属或合金过渡层，再利用磁控溅射技术和电弧离子镀技术共同快速沉积一层氮化钛层，之后再利用磁控溅射技术沉积一层纳米级的氮化钛层。本发明利用磁控溅射沉积微细纳米粒子，提高过渡层的结合力；利用电弧离子镀沉积速度快的特点提高效率；利用磁控溅射沉积一层致密的和高质量的纳米级的氮化钛层提高表面质量。
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