本发明公开了一种锗硅HBT发射极光刻对准精度优化的方法，发射极对发射极开口层的光刻对准标记和叠对精准测量标识OVL mark均放置在场区，工艺流程包括：有源区光刻刻蚀产生发射极对发射极开口对准标记和叠对精准测量标识OVL mark的衬底区；SiO2沉积与CMP产生发射极对发射极开口对准标记和叠对精准测量标识OVL mark的SiO2材料构成的衬底；基区BP刻蚀在发射极开口之前，且发射极开口膜层沉积在基区BP刻蚀之后；发射极开口光刻刻蚀后追加的湿法刻蚀。本发明可以大大加强光学对比度，避免因为信号强度不足引起的光学对准精度测量误差与非稳定性。