一种基于机器视觉的光纤光栅刻写对准方法及装置

    公开(公告)号:CN118897351A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202411381609.8

    申请日:2024-09-30

    摘要: 本发明涉及光纤光栅刻写技术领域,尤其是指一种基于机器视觉的光纤光栅刻写对准方法及装置,包括:采集光纤图像,计算光纤图像中纤芯的第一倾斜角度;利用深度学习模型对光纤图像中的纤芯进行分割,计算纤芯的第二倾斜角度;计算目标倾斜校正角度,并对光纤纤芯分割图像进行倾斜校正;获取倾斜校正后光纤纤芯分割图像中每列像素的目标纤芯中点坐标;将目标纤芯中点坐标和目标倾斜校正角度传输至光纤光栅刻写系统。本发明基于倾斜校正后的纤芯分割图像获取目标纤芯中点坐标,结合目标倾斜校正角度传输至光纤光栅刻写系统,为光纤光栅刻写提供了关键数据,确保刻写位置的精确对准以及刻写的稳定性,显著提升了刻写的效率和鲁棒性。

    高稳定性准直器组件、光刻装置和方法

    公开(公告)号:CN112154378B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN201980032443.X

    申请日:2019-05-02

    摘要: 一种光刻系统包括:被配置为产生辐射束的照射系统、被配置为支撑被配置为在束上赋予图案的图案形成装置的支撑部、被配置为将图案化束投影到衬底上的投影系统、以及包括照射器的对准系统。照射器包括光纤、光纤保护器(714)、包括被配置为支撑光纤保护器的第一支撑臂组件的光纤支撑部(700)、光学系统、以及包括被配置为支撑光学系统的第二支撑臂组件的光学系统支撑部。

    一种基于卷积神经网络检测莫尔条纹的高精度对位方法

    公开(公告)号:CN118864582A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410942357.5

    申请日:2024-07-15

    申请人: 浙江大学

    发明人: 林斌 颜建涛

    摘要: 本发明公开了一种基于卷积神经网络检测莫尔条纹的高精度对位方法,包括标定阶段和对位阶段;在对位标记设计上,仅采用两对圆光栅标记,对位标记图案简单。圆光栅可以同时充当粗对位和精对位标记的作用,属于几何图像与相位信息相结合的对准的方法,相比传统的光强信息对位方法而言,不需要设计复杂的光学结构,具有更好的工艺适应性和更低的实现成本;相比单纯几何图像对位方法而言,本发明结合了圆光栅叠加产生的莫尔条纹可以放大微小位移的特性,可以实现高于像素级别的偏差测量;相比单纯的相位信息对准方法而言,本发明结合了使用光栅圆外轮廓定位作为粗对位的偏差测量,可以实现更大范围的偏差测量。

    曝光系统以及物品制造方法

    公开(公告)号:CN111580358B

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202010089788.3

    申请日:2020-02-13

    IPC分类号: G03F9/00 G03F7/20

    摘要: 提供在成本以及生产率方面有利的曝光系统以及物品制造方法。曝光系统包括:第1曝光装置,对基板的第1拍摄区域曝光;第2曝光装置,对基板的与第1拍摄区域不同的第2拍摄区域曝光;标志形成装置,在基板的与第1拍摄区域及第2拍摄区域不同的位置形成对准标志。第1曝光装置包括检测通过标志形成装置形成于基板的对准标志的第1标志检测部,第2曝光装置包括检测通过标志形成装置形成于基板的对准标志的第2标志检测部,根据由第1曝光装置中的第1标志检测部检测出的对准标志的信息和由第2标志检测部检测出的对准标志的信息,决定用于校正第2拍摄区域相对第1拍摄区域的排列误差的校正参数,反映该校正参数而对第2拍摄区域曝光。

    使用云纹元件及旋转对称布置以成像叠加目标

    公开(公告)号:CN118795723A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410876889.3

    申请日:2020-09-04

    摘要: 本发明的实施例涉及使用云纹元件及旋转对称布置以成像叠加目标。一种计量目标可包含具有第一图案的一或多个例子的第一旋转对称工作区及具有第二图案的一或多个例子的第二旋转对称工作区,其中所述第一图案或所述第二图案中的至少一者是由在第一样本层上的具有沿着测量方向的第一节距的第一光栅结构及在第二样本层上的具有沿着所述测量方向的不同于所述第一节距的第二节距的第二光栅结构形成的云纹图案。当所述第一样本层与所述第二层之间的叠加误差是零时,所述第一工作区及所述第二工作区的旋转对称中心通过设计可重叠。所述第一工作区及所述第二工作区的所述旋转对称中心之间的差可指示所述第一样本层与所述第二样本层之间的叠加误差。

    量测装置及其相位调制器设备

    公开(公告)号:CN114174890B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202080053628.1

    申请日:2020-07-27

    IPC分类号: G02B26/00 G03F9/00

    摘要: 本发明公开了一种相位调制器设备,包括用于调制输入辐射的至少一个第一相位调制器,以及包括这种相位调制器设备的量测装置。第一相位调制器包括:第一移动光栅,该第一移动光栅处于至少一种操作状态,用于衍射输入辐射并且使经衍射辐射的频率发生多普勒偏移;以及第一补偿光栅元件,包括节距,该节距被配置为补偿所述经衍射辐射的至少一个衍射阶的波长相关色散。

    一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置

    公开(公告)号:CN111999991B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202010984908.6

    申请日:2020-09-18

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    摘要: 本发明公开了一种接近接触式光刻真空曝光工件台装置,该装置用于光刻机中实现基片与掩模板之间实现真空曝光。该装置以掩模板为水平基准,利用第一升降驱动机构带动三点弹性支撑机构、承片台、基片上升,基片与基准掩模板接触调平后,气动及控制机构锁紧三点弹性支撑机构,同时第一升降驱动机构停止上升。然后第二升降驱动机构带动真空腔室上升并与掩模架下表面接触形成密封腔体,接着对腔体进行抽真空,从而实现样片与掩模板在真空的环境下进行曝光,提高曝光的分辨率与曝光线条的均匀性。

    曝光装置和制造物品的方法

    公开(公告)号:CN114488709B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202210113165.4

    申请日:2019-04-03

    摘要: 本发明涉及曝光装置和制造物品的方法。本发明提供了一种曝光装置,所述曝光装置包括被配置为在基板上的抗蚀剂膜上形成标记的形成单元,以及控制单元,该控制单元被配置为通过基于标记的测量位置将图案投影到基板上的抗蚀剂膜上的目标位置上来执行曝光处理以形成潜像,其中,在对去除具有第一标记的第一抗蚀剂膜之后其上已形成有第二抗蚀剂膜的返工基板执行曝光处理之前,控制单元使形成单元执行在第二抗蚀剂膜上形成第二标记的形成处理,以使第二标记将位于返工基板上的偏离第一标记的位置的位置处。

    OVL套刻标识图形及提高套刻误差量测准确性的方法

    公开(公告)号:CN118502203A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410669784.0

    申请日:2024-05-27

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/033 G03F9/00

    摘要: 本发明提供一种OVL套刻标识图形,包括:间隔设置的目标OVL图形与参考OVL图形,目标OVL图形包括前层光栅结构及当层光栅结构,其包括紧邻设置的第一光栅图形与第二光栅图形,且第一光栅图形包括多个间隔排列的第一条形光栅,第二光栅图形包括多个间隔排列的述第二条形光栅,当层光栅结构包括紧邻设置的第三光栅图形与第四光栅图形,且第三光栅图形包括多个间隔排列的第三条形光栅,第四光栅图形包括多个的间隔排列的第四条形光栅;参考OVL图形包括前层光栅结构。通过本发明解决了现有的外围Fin形貌差异造成的前层光栅结构对称性不好的问题。