Invention Publication
- Patent Title: 通过三维集成技术制造高性能碳纳米管晶体管集成电路的方法
- Patent Title (English): A method to fabricate high performance carbon nanotube transistor integrated circuits by three-dimensional integration technology
-
Application No.: CN201180033207.3Application Date: 2011-06-01
-
Publication No.: CN102986014APublication Date: 2013-03-20
- Inventor: K·陈 , Y-M·林 , P·阿沃里斯
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 格芯美国第二有限责任公司
- Current Assignee Address: 美国纽约
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 于静; 张亚非
- Priority: 12/831,656 2010.07.07 US
- International Application: PCT/EP2011/059133 2011.06.01
- International Announcement: WO2012/004068 EN 2012.01.12
- Date entered country: 2013-01-04
- Main IPC: H01L21/60
- IPC: H01L21/60 ; B82Y40/00 ; H01L21/58 ; H01L23/498 ; B82Y10/00

Abstract:
提供用于制造基于碳纳米管的器件的技术。在一个方面中,提供用于制造基于碳纳米管的集成电路的方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳纳米管的第一晶片。提供包含一个或多个器件元件的第二晶片。通过将第一晶片与第二晶片接合在一起,使碳纳米管中的一个或多个与器件元件中的一个或多个连接。还提供基于碳纳米管的集成电路。
Public/Granted literature
- CN102986014B 通过三维集成技术制造高性能碳纳米管晶体管集成电路的方法 Public/Granted day:2015-08-05
Information query
IPC分类: