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公开(公告)号：CN103459137B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280013918.9
申请日：2012-03-08
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L29/518 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78684
摘要： 一种半导体结构，其包括：衬底；所述衬底上的石墨烯层；所述石墨烯层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述漏电极分开预定尺寸；所述石墨烯层上的氮化物层，其位于所述源电极与所述漏电极之间；以及所述氮化物层上的栅电极，其中所述氮化物层为用于所述栅电极的栅极电介质。
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公开(公告)号：CN104038293A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410076481.4
申请日：2014-03-04
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H04B13/00
CPC分类号： G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/262 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , G02F2203/10 , G02F2203/13 , G02F2203/50 , H04B10/802 , H04B10/90
摘要： 本发明涉及一种石墨烯等离子体激元通信链路。一种信号传输链路包括第一等离子体激元耦合器和第二等离子体激元耦合器，所述第二等离子体激元耦合器与所述第一等离子体激元耦合器具有间隔以形成间隙。在所述第一和第二等离子体激元耦合器的端部之上以及在所述间隙之中和之上形成绝缘体层。在所述绝缘体层上的所述间隙之上形成等离子体激元导电层以激发等离子体激元，以便在所述第一和第二等离子体激元耦合器之间提供信号传输。
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公开(公告)号：CN104038293B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410076481.4
申请日：2014-03-04
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H04B13/00
CPC分类号： G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/262 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , G02F2203/10 , G02F2203/13 , G02F2203/50 , H04B10/802 , H04B10/90
摘要： 本发明涉及一种石墨烯等离子体激元通信链路。一种信号传输链路包括第一等离子体激元耦合器和第二等离子体激元耦合器，所述第二等离子体激元耦合器与所述第一等离子体激元耦合器具有间隔以形成间隙。在所述第一和第二等离子体激元耦合器的端部之上以及在所述间隙之中和之上形成绝缘体层。在所述绝缘体层上的所述间隙之上形成等离子体激元导电层以激发等离子体激元，以便在所述第一和第二等离子体激元耦合器之间提供信号传输。
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公开(公告)号：CN102893387A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024337.0
申请日：2011-04-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/786 , B82Y10/00 , H01L29/16
CPC分类号： H01L21/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1207 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/7781 , H01L29/78618 , H01L29/78684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供基于石墨烯沟道的器件及其制造技术。在一方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的CMOS器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述晶片通过所述氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个接触与所述源极接触和漏极接触相接触。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。
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公开(公告)号：CN100347874C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN01821708.7
申请日：2001-12-21
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 一种方法被提供来形成一器件。该方法提供一绝缘衬底，其包含一源极电极，一漏极电极，及一栅极电极。该方法提供包含金属的碳纳米管束及半导电组分纳米管与该衬底接触。该方法施加一电压至该栅极电极，以耗尽该半导电组分纳米管的载流子，施加一电流经由该纳米管，由一源极电极至一漏极电极，及击穿至少一个金属组分纳米管，以形成一场效应晶体管。该碳纳米管束可以为一多层壁纳米管或一单层壁纳米管索。
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公开(公告)号：CN106879237A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610889096.0
申请日：2013-06-13
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01Q17/00 , H05K9/0081
摘要： 本发明涉及用于微波和太赫兹频率的宽带电磁辐射吸收的基于石墨烯的结构和方法。用于将物体隐形于微波和太赫兹频率的电磁辐射的结构和方法包括将多个石墨烯片设置在物体周围。透明介电材料的中间层可被设置在石墨烯片之间以优化性能。在其他实施例中，石墨烯可被配制到涂料配方或织物中，并被施加到物体。所述结构和方法吸收微波和太赫兹频率的电磁辐射的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102986014B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180033207.3
申请日：2011-06-01
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/60 , B82Y40/00 , H01L21/58 , H01L23/498 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L21/768 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/50 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/4827 , H01L2221/1094 , H01L2221/68359 , H01L2224/83894 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046
摘要： 提供用于制造基于碳纳米管的器件的技术。在一个方面中，提供用于制造基于碳纳米管的集成电路的方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳纳米管的第一晶片。提供包含一个或多个器件元件的第二晶片。通过将第一晶片与第二晶片接合在一起，使碳纳米管中的一个或多个与器件元件中的一个或多个连接。还提供基于碳纳米管的集成电路。
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公开(公告)号：CN102893387B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201180024337.0
申请日：2011-04-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/12 , H01L29/786 , B82Y10/00 , H01L29/16
CPC分类号： H01L21/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1207 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/7781 , H01L29/78618 , H01L29/78684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供基于石墨烯沟道的器件及其制造技术。在一方面，一种半导体器件包括：第一晶片，其具有形成于第一衬底上的至少一个石墨烯沟道、包围所述石墨烯沟道的第一氧化物层、以及接到所述石墨烯沟道并延伸穿过所述第一氧化物层的源极接触和漏极接触；以及第二晶片，其具有形成于第二衬底中的CMOS器件层、包围所述CMOS器件层的第二氧化物层、以及接到所述CMOS器件层并延伸穿过所述第二氧化物层的多个接触，所述晶片通过所述氧化物层之间的氧化物与氧化物接合而被接合在一起。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个接触与所述源极接触和漏极接触相接触。接到所述CMOS器件层的所述多个接触中的一个或多个另外的接触为用于所述石墨烯沟道的栅极接触。
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