- 专利标题： 通过三维集成技术制造高性能碳纳米管晶体管集成电路的方法
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申请号： CN201180033207.3申请日： 2011-06-01
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公开(公告)号： CN102986014B公开(公告)日： 2015-08-05
- 发明人: K·陈 , Y-M·林 , P·阿沃里斯
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 于静; 张亚非
- 优先权： 12/831,656 2010.07.07 US
- 国际申请： PCT/EP2011/059133 2011.06.01
- 国际公布： WO2012/004068 EN 2012.01.12
- 进入国家日期： 2013-01-04
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; B82Y40/00 ; H01L21/58 ; H01L23/498 ; B82Y10/00
摘要：
提供用于制造基于碳纳米管的器件的技术。在一个方面中，提供用于制造基于碳纳米管的集成电路的方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳纳米管的第一晶片。提供包含一个或多个器件元件的第二晶片。通过将第一晶片与第二晶片接合在一起，使碳纳米管中的一个或多个与器件元件中的一个或多个连接。还提供基于碳纳米管的集成电路。
公开/授权文献
- CN102986014A 通过三维集成技术制造高性能碳纳米管晶体管集成电路的方法 公开/授权日：2013-03-20
IPC分类:
