包括位于钉扎层中的功能层的磁性存储元件及其制造方法
摘要:
一种磁性隧道结MTJ存储元件包括钉扎层堆叠(520)和功能层。所述钉扎层堆叠由多个层形成,其中至少一个层包括底部钉扎层(206a、206b)、耦合层(208)和顶部钉扎层(210a、210b)。所述功能层(540、560)安置于所述底部钉扎层和/或所述顶部钉扎层中。
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