发明授权
- 专利标题: 化学气相沉积装置
- 专利标题(英): Chemical vapor deposition (CVD) device
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申请号: CN201110287513.1申请日: 2011-09-23
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公开(公告)号: CN103014669B公开(公告)日: 2014-11-26
- 发明人: 奚明 , 马悦 , 萨尔瓦多 , 林芳 , 黄占超
- 申请人: 理想能源设备(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江居里路1号
- 专利权人: 理想能源设备(上海)有限公司
- 当前专利权人: 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江居里路1号
- 代理机构: 上海恒锐佳知识产权代理事务所
- 代理商 黄海霞
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/52
摘要:
一种化学气相沉积装置,包括:反应腔、冷却装置、位于所述反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座,所述基座具有加热单元,所述喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置,用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区,所述冷却装置设置在所述喷淋组件背离所述基座的一侧;设置在第一进气装置和冷却装置之间的第一间隔件,设置在第二进气装置和冷却装置之间的第二间隔件,第一间隔件的热传导系数大于第二间隔件的热传导系数,加热单元在加热过程中,第一进气装置与第二进气装置具有不同的温度。本发明可以为不同进气装置中的气体提供不同的温度。
公开/授权文献
- CN103014669A 化学气相沉积装置 公开/授权日:2013-04-03
IPC分类: