- 专利标题： 用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管
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申请号： CN201180026584.4申请日： 2011-05-27
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公开(公告)号： CN103026449B公开(公告)日： 2016-07-20
- 发明人: 格特·努特则 , 帕斯卡尔·拉乌特 , 理查德·杰克曼
- 申请人： 福托尼斯法国公司
- 申请人地址： 法国布里夫·拉·基尔拉德F-19100罗杰·若希尔大道
- 专利权人： 福托尼斯法国公司
- 当前专利权人： 福托尼斯法国公司
- 当前专利权人地址： 法国布里夫·拉·基尔拉德F-19100罗杰·若希尔大道
- 代理机构： 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
- 代理商 彭家恩; 彭愿洁
- 优先权： 1037989 2010.05.28 NL; 61/349,676 2010.05.28 US
- 国际申请： PCT/NL2011/050372 2011.05.27
- 国际公布： WO2011/149351 EN 2011.12.01
- 进入国家日期： 2012-11-28
- 主分类号： H01J31/50
- IPC分类号： H01J31/50 ; H01J40/06 ; H01J1/32
摘要：
本发明涉及用于使用电子倍增的真空管中的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管。根据本发明，提出了用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构，所述电子倍增结构包括旨在取向为与真空管的进入窗成面向关系的输入面，旨在取向为与真空管的探测面成面向关系的输出面，其中所述电子倍增结构至少包括邻近于探测窗的半导体材料层。
公开/授权文献
- CN103026449A 用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管 公开/授权日：2013-04-03
