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公开(公告)号：CN117344190A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311242435.2
申请日：2023-09-25
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C22C30/00 , B22F1/142 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/26 , B22F5/00 , H01J1/32 , H01J9/02
摘要： 一种高熵合金强化的浸渍型阴极及其制备方法，属于难熔高熵合金领域。具体步骤：1)将Os、Ir、Re、W和Ru原料粉末放入坩埚中，氢气中退火。称取原料粉末进行混合；2)利用球磨干磨混合均匀；3)粉末压制成型：将球磨后的粉末放入磨具中压制，保压20s～43s；4)将压制好的生坯放入氢气炉中烧结，通入氢气，首先30min升温至850℃，然后以8.5℃/min的升温速率，加热至1380～1620℃，保温15～55min；经1660～1690℃浸渍活性盐。本发明浸渍型阴极具有以简单Hcp固溶体为主的组织结构的阴极基体，具有高熔点、大的浸渍量、高温稳定性、高的电流发射密度等优点。
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公开(公告)号：CN116313690A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211455190.7
申请日：2022-11-21
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于多层薄膜的水平结构纳米空气沟道晶体管，属于晶体管技术领域。包括绝缘衬底，设置于其正面的多层薄膜阴极、阳极，阴极和阳极之间构成纳米空气沟道；多层薄膜阴极由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成；阳极由导电材料构成，或者由导电薄膜和绝缘薄膜交错层叠构成；多层薄膜阴极和多层薄膜阳极的一侧还设置有导电侧壁，用于各导电薄膜层之间实现电连接。本发明通过多层薄膜锐利边缘结构获得较大的场增强因子，并利用多层薄膜串联发射有效增大晶体管的场发射电流，同时由于垂直刻蚀或腐蚀工艺可以较为容易地实现90度侧壁，保持多层薄膜中每层发射结构的全同性，实现多层薄膜串联下同时发射电子以保持稳定的发射电流。
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公开(公告)号：CN1182561C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN99120728.9
申请日：1999-09-24
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/025 , H01J2201/3125 , Y10S977/939
摘要： 一种场致发射型电子源及其制造方法，该场致发射型电子源具有导电性基板；在导电性基板一表面侧形成的强电场漂移层；在该强电场漂移层上形成导电性薄膜构成的表面电极，表面电极相对于导电性基板作为正极，通过施加电压从导电性基板注入的电子在强电场漂移层漂移，经表面电极进行发射，所述强电场漂移层至少包含：基本上垂直于导电性基板主表面排列的柱状第1半导体单元；介于所述第1半导体单元间纳米级的、由半导体微结晶单元构成的第2半导体单元；形成在所述第2半导体单元表面、膜厚比所述第2半导体单元的结晶粒径小的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN114072893A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080036350.7
申请日：2020-05-16
申请人： 艾德特斯解决方案有限公司
摘要： 本发明提供了一种配置成转换或放大粒子的器件，该转换或放大依赖于粒子对该器件的表面的撞击，该撞击导致从相同的表面发射一个或多个二次电子，其中，该器件包括能够在粒子撞击时发射二次电子的碳基层。该表面可以用于将例如离子转换成电子信号，或者将电子信号转换成放大的电子信号。本发明特别适用于转换或放大倍增极。
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公开(公告)号：CN103168339B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180050031.2
申请日：2011-09-09
申请人： 法国甫托尼公司
CPC分类号： H01L31/028 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01T1/28 , H01J1/32 , H01J9/125 , H01J43/18 , H01J43/246 , H01L31/1804 , Y10S977/755
摘要： 本发明涉及一种电子倍增器(1)，该电子倍增器(1)用于一种用于探测电磁辐射或离子流的系统。该倍增器(1)包括至少一个激活结构(2)，该至少一个激活结构(2)用于接收入射电子流，并且作为响应，发射称为二次电子的电子流。所述激活结构(2)包括基板(3)，在所述基板(3)上设置有薄的、由金刚石颗粒形成的纳米金刚石层(4)，这些金刚石颗粒的平均尺寸不大于100nm。
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公开(公告)号：CN101447377B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810246838.3
申请日：2008-12-31
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种Y2O3-Gd2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法，属于二次电子发射材料技术领域。现有二次电子发射材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和钆作为添加元素，按不同比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明由Gd2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的30％wt，其余为钼。本发明制成稀土-钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极，在较大的电压范围内发射性能稳定，优于含铈的阴极。
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公开(公告)号：CN101447377A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810246838.3
申请日：2008-12-31
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种Y2O3－Gd2O3体系复合稀土－钼电子发射材料及其制备方法，属于二次电子发射材料技术领域。现有二次电子发射材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和钆作为添加元素，按不同比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明由Gd2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的30％wt，其余为钼。本发明制成稀土－钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极，在较大的电压范围内发射性能稳定，优于含铈的阴极。
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公开(公告)号：CN1639822A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804924.4
申请日：2003-02-24
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： H01J31/50 , H01J1/32 , H01J29/023 , H01J29/482 , H01J31/506 , H01J43/22
摘要： 本发明的透射型二次电子面，包括下列构成部分，即由金刚石或以金刚石为主要成分的材料所形成的二次电子射出层(1)；加强二次电子射出层(1)的机械强度的支持框(21)；与二次电子射出层(1)的入射面相对设置的第一电极(31)；以及与二次电子射出层(1)的出射面相对设置的第二电极(32)。而且，二次电子射出层(1)的入射面和出射面两者间加上有电压，在二次电子射出层(1)内部形成有电场。一旦一次电子入射从而在二次电子射出层(1)内部有二次电子生成，二次电子便被二次电子射出层(1)内部形成的电场向出射面方向加速，射出至透射型二次电子面的外部。以此可实现一种可相对于一次电子的入射高效率地使二次电子射出的透射型二次电子面以及使用它的电子管。
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公开(公告)号：CN104342572B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410444144.6
申请日：2014-09-02
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明属于冷阴极材料制备技术领域的一种高二次电子发射系数冷阴极材料及其制备方法。所述材料包括：按重量百分比计，钡1.5％-4.5％，铂95.5％-98.5％；所述材料的微观结构为：铂为基体，Pt5Ba为第二相分布于基体中。所述高二次电子发射系数冷阴极材料在一次电子轰击功率为200W/cm2下，连续轰击3600h后，其二次电子发射系数δ大于3.0。本发明的冷阴极材料通过铸造、热轧、冷轧、热处理等一系列工艺制备而成。本发明的冷阴极材料具有二次电子发射系数高，使用寿命长，性能稳定等优点。
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公开(公告)号：CN103026449B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201180026584.4
申请日：2011-05-27
申请人： 福托尼斯法国公司
CPC分类号： H01J43/04 , H01J1/32 , H01J31/48 , H01J31/506 , H01J43/16
摘要： 本发明涉及用于使用电子倍增的真空管中的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管。根据本发明，提出了用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构，所述电子倍增结构包括旨在取向为与真空管的进入窗成面向关系的输入面，旨在取向为与真空管的探测面成面向关系的输出面，其中所述电子倍增结构至少包括邻近于探测窗的半导体材料层。
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