本发明公开了一种锗硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，锗硅HBT的发射区和CMOS器件的多晶硅栅同时刻蚀形成，且CMOS器件的多晶硅栅的位于顶层的多晶硅也采用和锗硅HBT的发射区多晶硅相同工艺且同时形成，这样本发明方法能够实现将锗硅HBT的发射区和CMOS器件的多晶硅栅集成在一起形成，使得本发明方法能缩短工艺时间，使工艺简化并降低工艺成本。本发明的锗硅HBT的集电区、CMOS器件的N阱和P阱的电极都是通过形成于有源区周侧的浅槽场氧底部的赝埋层引出，该电极引出结构不需要额外占用有源区的面积，所以能够减少器件所占用的有源区的面积，并能提高集成度。本发明还公开了一种锗硅HBT和CMOS器件集成的器件结构。