发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201210269176.8申请日： 2012-07-30
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公开(公告)号： CN103035701B公开(公告)日： 2016-05-25
- 发明人: 今田忠纮
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 顾晋伟; 董文国
- 优先权： 2011-214722 2011.09.29 JP
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/40 ; H01L21/335
摘要：
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种AlGaN/GaN HEMT包括：化合物半导体多层结构、与化合物半导体多层结构的表面接触的插入金属层、形成在插入金属层上的栅极绝缘膜和形成在插入金属层上方的栅极，其中栅极绝缘膜介于栅极与插入金属层之间。
公开/授权文献
- CN103035701A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2013-04-10
IPC分类:
