发明授权
- 专利标题： 化合物半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）： Compound semiconductor device and manufacturing method therefor
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申请号： CN201210269621.0申请日： 2012-07-30
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公开(公告)号： CN103035702B公开(公告)日： 2015-07-01
- 发明人: 冈本直哉 , 牧山刚三 , 多木俊裕 , 美浓浦优一 , 尾崎史朗 , 宫岛丰生
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 顾晋伟; 董文国
- 优先权： 2011-215197 2011.09.29 JP
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/49 ; H01L21/335 ; H01L29/872 ; H01L21/329
摘要：
本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。
公开/授权文献
- CN103035702A 化合物半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2013-04-10
IPC分类:
