公开(公告)号：CN103035702B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

申请人： 富士通株式会社

发明人： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN103943676A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310698719.2

申请日：2013-12-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域。

公开(公告)号：CN103035703A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

摘要： 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN104112672B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410132262.3

申请日：2014-04-02

申请人： 富士通株式会社

发明人： 尾崎史朗 ,  冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC分类号： H01L21/441 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/283 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/315 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H02M5/458 ,  H03F3/19 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体设备，包括：第一电极；第二电极；由多孔绝缘材料制成并且形成在第一电极和第二电极之上的层间绝缘膜；以及分别电连接到第一电极和第二电极的连接部，其中在层间绝缘膜与第一电极的表面、第二电极的表面以及连接部的部分表面之间形成空腔。

公开(公告)号：CN104064590B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410066965.0

申请日：2014-02-26

申请人： 富士通株式会社

发明人： 今纯一 ,  中田义弘 ,  牧山刚三

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28587 ,  H01L23/5222 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。

公开(公告)号：CN103035683B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210320857.2

申请日：2012-08-31

申请人： 富士通株式会社

发明人： 多木俊裕 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  牧山刚三 ,  尾崎史朗

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT(高电子迁移率晶体管)具有：化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的上侧的保护膜以及填充开口并且具有骑在化合物半导体层上的形状的栅电极，其中保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且，开口包括形成在下绝缘膜中的第一开口和形成在上绝缘膜中且比第一开口宽的第二开口，第一开口与第二开口彼此连通。

公开(公告)号：CN103715243A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310319658.4

申请日：2013-07-26

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部，并且其上形成有开口；以及填充开口的电极，该电极与化合物半导体层接触并且形成在保护绝缘膜上，其中电极与化合物半导体层之间的接触部分的取向状态和电极与保护绝缘膜之间的接触部分的取向状态相同。

公开(公告)号：CN103943676B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310698719.2

申请日：2013-12-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域。

公开(公告)号：CN103151370B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210458928.5

申请日：2012-11-14

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H03F3/04

CPC分类号： H01L29/42316 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上或上方的氮化物化合物半导体堆叠结构；以及形成在化合物半导体堆叠结构上或上方的栅电极、源电极和漏电极。在化合物半导体堆叠结构的表面处形成有在俯视图中位于栅电极与漏电极之间的凹部。

公开(公告)号：CN103035703B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

申请人： 富士通株式会社

发明人： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

摘要： 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。