发明公开
- 专利标题: 直拉单晶直径测量方法
- 专利标题(英): Diameter measurement method for straight pulling single crystal
-
申请号: CN201210563386.8申请日: 2012-12-21
-
公开(公告)号: CN103046128A公开(公告)日: 2013-04-17
- 发明人: 石磊 , 邢建龙
- 申请人: 西安隆基硅材料股份有限公司 , 无锡隆基硅材料有限公司 , 宁夏隆基硅材料有限公司 , 银川隆基硅材料有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市长安区航天中路388号
- 专利权人: 西安隆基硅材料股份有限公司,无锡隆基硅材料有限公司,宁夏隆基硅材料有限公司,银川隆基硅材料有限公司
- 当前专利权人: 隆基绿能科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安区航天中路388号
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 罗笛
- 主分类号: C30B15/26
- IPC分类号: C30B15/26
摘要:
一种直拉单晶直径测量方法,包括利用一个CCD摄像头获取单晶生长图像以及对单晶生长图像进行处理,CCD摄像头的分辨率高于200万像素,对单晶生长图像进行处理包括步骤:提取单晶生长固液界面处的晶体轮廓;将晶体轮廓进行拟合,获得椭圆边界;将椭圆边界校正成圆形边界;以及获得单晶直径。本发明直拉单晶直径测量方法测定结果精度高,且操作简单,无噪音干扰。本发明可用于测量引晶、放肩、转肩及等径过程的单晶直径的测量。
公开/授权文献
- CN103046128B 直拉单晶直径测量方法 公开/授权日:2015-10-28
IPC分类: