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公开(公告)号：CN118256989A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410680735.7
申请日：2024-05-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： C30B15/26
摘要： 本发明涉及晶体生长领域，公开了提拉法生长晶体过程中原位观测和调控界面翻转的方法，用于诊断提拉法长晶系统中生长界面的状态，包括以下具体步骤：在晶体生长过程中，实时采集提拉法长晶系统中晶体和熔体之间的界面电动势U；同步记录界面电动势U随时间的运动轨迹，若观测到U随时间的运动轨迹出现突然的反向变化，即判断所生长晶体将要发生界面翻转，从而实现了对界面翻转的原位观测。本发明解决了现有技术存在的难以适应复杂晶体生长环境、条件要求苛刻的问题，且具有可以节省人力和物料成本，可以指导时变的温度场和对流场的特点。
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公开(公告)号：CN117468085B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311815614.0
申请日：2023-12-27
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本申请涉及一种晶棒生长控制方法、装置、长晶炉系统和计算机设备，该方法包括获取长晶炉内实时图像；将实时图像输入至预先训练的生长检测模型得到实时图像中目标区域图像，以及晶棒生长检测结果；若检测结果为异常则基于目标区域图像重新进行试温拉结；生长检测模型包括依次连接的自适应对比度增强模块、主干网络、颈部网络和检测网络；自适应对比度增强模块增强实时图像得到增强图像；主干网络基于增强图像进行晶结特征提取；主干网络还包括注意力融合模块用于增强晶结特征；颈部网络对晶结特征融合得到融合晶结特征；检测网络基于融合晶结特征确定目标区域图像，以及对应的晶棒生长检测结果。采用本方法能够提高晶棒生长判断准确率和安全性。
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公开(公告)号：CN117737833A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311734350.6
申请日：2023-12-15
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人： 吴超
摘要： 本公开提供一种拉晶炉晶棒直径测量装置及方法，该装置包括：图像获取模块，所述晶棒包括沿预定方向相对的第一侧和第二侧，所述图像获取模块用于获取所述晶棒的所述第一侧和第二侧的边缘图像；处理单元，与所述图像获取模块相互交互，用于获取所述晶棒的所述第一侧和第二侧的边缘图像中的预定像素点与所述图像获取模块的视场中心的像素点之间在预定方向上的像素距离，并基于所述像素距离，计算所述晶棒的直径值R，其中所述预定像素点与所述视场中心的像素点处于沿所述预定方向延伸的同一直线上。本公开的拉晶炉晶棒直径测量装置及方法可提高晶棒直径测量准确性。
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公开(公告)号：CN117702252A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211510211.0
申请日：2022-11-29
申请人： 丽江隆基硅材料有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种单晶硅棒直径控制方法、装置、电子设备及存储介质。其中，单晶硅棒直径控制方法包括：在拉晶过程的等径生长环节，按照预设规则获取单晶硅棒的实际重量；基于单晶硅棒的实际重量，计算单晶硅棒的实际直径；基于单晶硅棒的实际直径、预设的单晶硅棒的目标直径、以及等径生长环节的当前目标直径像素值，计算等径生长环节的修正后目标直径像素值；基于等径生长环节的修正后目标直径像素值，修正等径生长环节的当前目标直径像素值。本申请实施例中，能够使得修正后目标直径像素值随着实际直径的变化而变化，因此修正后目标直径像素值更加准确地对应于目标直径，进而能够提高直径校准的准确性。
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公开(公告)号：CN114990688B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210751316.9
申请日：2022-06-28
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
发明人： 毛勤虎
摘要： 本发明提供了一种单晶体直径控制方法及装置、单晶硅拉晶炉，属于半导体技术领域。单晶体直径控制装置包括：直径检测模块，用于对所述多晶熔液和晶体的交界处进行图像采样，获得原始图像，对所述原始图像进行二值化处理，得到黑白图像，计算所述黑白图像中白色区域与黑色区域的面积比例，根据所述面积比例得到所述晶体的直径数据值；控制模块，用于将所述直径数据值与预设直径数据值进行比较，并根据比较结果控制所述籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或所述加热器的功率。本发明能够监控晶体生成过程中晶体的直径，保证晶体品质的稳定可控性。
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公开(公告)号：CN117187945A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311161106.5
申请日：2023-09-08
申请人： 万华化学集团股份有限公司 , 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本申请提供一种长晶炉硅晶加工监控方法、装置及系统，其中的方法包括：获取长晶炉内部的硅晶生长监测图像；对所述硅晶生长监测图像进行解析，确定所述硅晶生长监测图像中包括的硅晶的直径和生长高度；根据所述硅晶的直径和所述生长高度生成硅晶生长图像并显示。由此，本申请提供的技术方案能够对长晶炉内的硅晶加工过程的实时监控，便于根据硅晶生长过程对工艺过程进行控制和调节，确保硅晶生长结果满足需求。
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公开(公告)号：CN114318512B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111626097.3
申请日：2021-12-28
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法，该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据，作图进行拟合，得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中；根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值，通过自动调整拉速，拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制，根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速，反复几次即可调整出合适PID参数，实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控，提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。
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公开(公告)号：CN114134559B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111003259.8
申请日：2021-08-30
申请人： 胜高股份有限公司
发明人： 下崎一平
摘要： 提高基于F环法的间隙测量精度。单晶制造装置具备从融液提拉单晶的单晶提拉部、处理照相机的拍摄图像的运算部、基于运算部的处理结果控制晶体提拉条件的控制部。运算部具有第1运算部和第2运算部，第1运算部根据照相机的拍摄图像中映现的隔热部件的开口的实像与映入融液面的隔热部件的开口的镜像的大小算出隔热部件的下端与融液面之间的第1间隙测量值，第2运算部根据晶体中心位置的高度方向的变化量将隔热部件的下端与融液面之间的第2间隙测量值相对地算出，晶体中心位置的高度方向的变化量根据在照相机的拍摄图像中映现的单晶和融液的边界产生的融合环求出。第2运算部用预先准备的间隙修正量表格修正第2间隙测量值。
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公开(公告)号：CN116555897A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310594940.7
申请日：2023-05-24
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
摘要： 本发明提供一种基于功率拉晶的晶体直径控制方法，属于半导体晶体制造技术领域，包括以下步骤：S1：在PLC控制模块内将晶体拉速偏差范围设定为±0.01mm/min以内，并设定晶体直径、晶体直径偏差范围、加热器功率及上述参数对应的动作判断条件；S2：通过相机采集晶体直径信号并将晶体直径信号反馈至PLC控制模块，PLC控制模块将晶体实时直径与晶体设定直径比较，根据判断结果采用ADC1控制模式来调整晶体拉速和加热器功率；S3：PLC控制模块通过计算晶体直径偏差并判断晶体直径偏差是否在设定的晶体直径偏差范围内，根据判断结果决定是否启用判断干预模式以控制功率的增加或降低，采用该方法可以使拉速偏差达到±0.01mm/min以内时，直径偏差仍控制在±1.0mm之内。
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公开(公告)号：CN114351247B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210033285.3
申请日：2022-01-12
申请人： 苏州天准科技股份有限公司 , 苏州天准软件有限公司
摘要： 本发明提供了一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备，属于半导体领域，方法包括采集图像并判定当前拉晶阶段、根据拉晶阶段定位区域R、提取目标轮廓、直线拟、计算晃动值S；拉晶设备包括炉体、旋转坩埚、拉晶单元、状态监测单元、加料器和控制器，拉晶单元根据晃动值S调整拉晶升降速度和转速，以保证拉晶稳定。本发明基于图像处理和直线拟合技术实时计算拉晶的晃动值，从而通过晃动值监测晶棒的状态，以此保证拉晶状态的稳定，并提高拉晶质量，便于在半导体制造领域推广应用。
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