本发明的实施例提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有具有至少两个沟槽的层间介质层；所述沟槽内形成有导电线；形成覆盖层间介质层和导电线的种子层；形成位于种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第一开口位于相邻两沟槽间的层间介质层上，且所述第一开口的宽度小于相邻两沟槽之间的距离；以所述图案层为掩膜，刻蚀种子层和层间介质层，形成第二开口和位于所述第二开口两侧的牺牲层，所述第二开口暴露出所述半导体衬底表面；去除所述牺牲层，形成空气间隙；形成覆盖所述种子层、且横跨所述空气间隙的绝缘层。本发明实施例形成的半导体器件中空气间隙的质量好，集成电路的性能好。