发明公开
- 专利标题: 电流控制元件和使用其的非易失性存储元件
- 专利标题(英): Current control element and nonvolatile memory element using same
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申请号: CN201180044244.4申请日: 2011-09-16
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公开(公告)号: CN103098252A公开(公告)日: 2013-05-08
- 发明人: 宫永良子 , 三河巧 , 早川幸夫 , 二宫健生 , 有田浩二
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 松下半导体解决方案株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2010-209274 2010.09.17 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/005262 2011.09.16
- 国际公布: WO2012/035786 JA 2012.03.22
- 进入国家日期: 2013-03-14
- 主分类号: H01L49/02
- IPC分类号: H01L49/02 ; H01L27/105 ; H01L45/00 ; H01L49/00
摘要:
本发明提供一种电流控制元件(100),其为以覆盖形成于层间绝缘层(102)的导通孔(104)的下部开口(105)的方式形成的电流控制元件,该电流控制元件包括:腐蚀抑制层(106),其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成;第二电极层(108),其形成在腐蚀抑制层之下,并由与腐蚀抑制层不同的材料构成;电流控制层(110),其形成在第二电极层之下,并与第二电极层物理接触;和第一电极层(112),其形成在电流控制层之下,并与电流控制层物理接触,其中,由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
公开/授权文献
- CN103098252B 电流控制元件和使用其的非易失性存储元件 公开/授权日:2014-11-12
IPC分类: