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公开(公告)号：CN103098252B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180044244.4
申请日：2011-09-16
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L49/02 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L21/768 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
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公开(公告)号：CN103098252A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180044244.4
申请日：2011-09-16
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L49/02 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/16 , H01L21/768 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
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公开(公告)号：CN102782846A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011853.X
申请日：2011-06-09
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/06 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： 本发明提供非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置，能够减小初始击穿所需的电脉冲的电压，并且能够降低非易失性存储元件的电阻值的偏差。其具有：第一电极（103）；第二电极（105）；和电阻变化层（104），其介于第一电极（103）与第二电极（105）之间，基于在第一电极（103）与第二电极（105）之间提供的电信号，电阻值可逆地变化，电阻变化层（104）具有：与第一电极（103）接触，包含缺氧型的过渡金属氧化物的第一区域（106）；和与第二电极（105）接触，包含比所述第一区域（106）的缺氧度小的过渡金属氧化物的第二区域（107）。第二电极（105）由铱和具有比铱低的杨氏模量的至少一种贵金属的合金构成，铱的含有率为50atm%以上。
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公开(公告)号：CN102714210A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180004314.3
申请日：2011-11-18
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1675
摘要： 提供抑制因热预算而导致的电阻变化层的氧浓度特性的劣化、且在低电压下能够稳定工作的非易失性存储元件以及其制造方法。非易失性存储元件(12)，具备∶第一电极层(105)，被形成在衬底上(100)；电阻变化层(106)，被配置在第一电极层上(105)；以及第二电极层(107)，被配置在电阻变化层(106)上，电阻变化层(106)具有，缺氧氮型钽氧氮化物层(106a)与钽氧化物层(106b)层叠的双层构造。
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公开(公告)号：CN102630340A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201180004319.6
申请日：2011-11-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： 本发明的目的在于提供能够初始击穿时的低电压以及高速工作、且能够抑制接触插塞的氧化的电阻变化型非易失性半导体存储元件的制造方法，在包括由形成在接触插塞(104)上的下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成的电阻变化元件的非易失性半导体存储元件的制造方法中，在将第一导电膜(105′)图形化来形成下部电极(105)之前具有，为了使电阻变化层(106)的端部绝缘化而进行氧化的工序。
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公开(公告)号：CN102449763A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201180002264.5
申请日：2011-03-07
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： 提供一种能够抑制电阻值不均匀的电阻变化型的非易失性存储元件。本发明的非易失性存储元件具有：硅基板(11)；下部电极层(102)，形成在硅基板(11)上；电阻变化层，形成在下部电极层(102)上；上部电极层(104)，形成在电阻变化层上；第二层间绝缘层(19)，以至少覆盖下部电极层(102)、电阻变化层的侧面而形成；压力缓和区域层(105)，使用比用于第二层间绝缘层(19)的绝缘层应力小的材料以至少直接覆盖上部电极层(104)的上表面以及侧面的方式来进行设置，缓和针对上部电极层(104)的应力；第二触点(16)到达上部电极层(104)而形成；以及，布线图案(18)，与第二触点(16)相连接。
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公开(公告)号：CN102428560A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201180002106.X
申请日：2011-03-16
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： 一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
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公开(公告)号：CN103370790A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008882.5
申请日：2012-12-17
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC分类号： G11C13/0064 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要： 非易失性存储装置具备：存储器单元阵列（10），具有由电阻变化元件（141）和第1电流控制元件（142）构成的多个存储器单元（11）；以及电流控制元件参数产生电路（20），具有配置在基板（100）与第2层间绝缘层（105）之间的第3布线（203）、配置在第2层间绝缘层（105）上的第4布线（219）、在第3布线（203）与第4布线（219）之间通过将电阻变化元件（141）除去而不经由电阻变化元件（141）地与第3布线（203）及第4布线（219）连接、且具有与第1电流控制元件（142）相同的非线性电流控制特性的第2电流控制元件（242）。
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公开(公告)号：CN103229299A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180013542.7
申请日：2011-11-24
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/15 , G11C29/56 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , H01L27/02 , H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： 本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。
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公开(公告)号：CN103222055A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180035193.9
申请日：2011-10-06
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
摘要： 提供一种在低电压下电阻稳定地变化，适于大容量化并且可靠性优良的电阻变化型非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件（10）具有：第一电极（106）、第二电极（104）和电阻变化层（115），该电阻变化层基于施加在两电极间的电信号而电阻值可逆地变化，电阻变化层（115）具备按顺序层叠具有由MOx表示的组成的第一过渡金属氧化物层（115x）、具有由MOy（其中x>y）表示的组成的第二过渡金属氧化物层（115y）、和由MOz（其中y>z）表示的组成的第三过渡金属氧化物层（115z）的层叠结构。
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