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发明公开
CN103117268A 具有局部互连金属板的MOM电容器以及相关方法 无效 - 驳回

具有局部互连金属板的MOM电容器以及相关方法
摘要：
本发明涉及具有局部互连金属板的MOM电容器以及相关方法。根据一个示例性实施方式，一种半导体管芯中的金属-氧化物-金属（MOM）电容器包括共享平行于所述半导体管芯的第一金属化层的平面并且位于其下方的平面的第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板。所述MOM电容器进一步包括位于所述第一多个电容器极板与所述第二多个电容器极板之间的局部层间电介质。所述第一和第二多个电容器极板是由用于连接在位于所述第一金属化层下方的半导体管芯的器件层中形成的器件的局部互连的金属制成。
摘要（英）：

A metal-oxide-metal (MOM) capacitor (121) in a semiconductor die comprises a first plurality of capacitor plates (122) and a second plurality of capacitor plates (124) sharing a plane parallel to and below a plane of a first metallization layer (M1) of the semiconductor die. The MOM capacitor further comprises a local interlayer dielectric (109) between the first plurality of capacitor plates and the second plurality of capacitor plates. The first and second plurality of capacitor plates are made from a local interconnect metal for connecting devices formed in a device layer of the semiconductor die situated below the first metallization layer. The capacitor plates can be horizontally interdigitated.

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