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发明公开
CN103130274A 一种气相合成制备砷化锌的方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 一种气相合成制备砷化锌的方法
  • 专利标题（英）： Method for preparing zinc arsenide by vapor-phase synthesis
  • 申请号： CN201310070063.X
    申请日： 2013-03-06
  • 公开(公告)号： CN103130274A
    公开(公告)日： 2013-06-05
  • 发明人: 廖亚龙 , 彭志强
  • 申请人： 昆明理工大学
  • 申请人地址： 云南省昆明市五华区学府路253号
  • 专利权人： 昆明理工大学
  • 当前专利权人： 昆明理工大学
  • 当前专利权人地址： 云南省昆明市五华区学府路253号
  • 主分类号： C01G28/00
  • IPC分类号： C01G28/00
一种气相合成制备砷化锌的方法
摘要：
本发明提供一种气相合成制备砷化锌的方法，通过将金属砷和金属锌按比例取料，分别置于400～1200℃下进行挥发0.5～10h；再将挥发出的金属砷蒸汽和金属锌蒸汽于400～900℃下反应0.5～10h，得到沉积物；所得沉积物置于600～1100℃、压力为0.5～2000Pa的条件下进行挥发0.5～10h，除去未反应的金属锌和金属砷，冷却到300℃以下，即得到砷化锌。所得用于半导体工业的砷化锌中砷化锌的含量大于99.995wt%。本发明能够充分利用金属砷资源，减少工业过程中排放到环境中砷的量，有利于环境保护。将价值较低的金属砷和锌制备为高附加值的、能够用于半导体材料及光伏产业的砷化锌产品。本方法反应速度快、设备投资减低，反应控制条件易控、简单，制备成本低。
摘要（英）：

The invention provides a method for preparing zinc arsenide by vapor-phase synthesis, which comprises the following steps: proportionally taking metal arsenium and metal zinc, and respectively volatilizing at 400-1200 DEG C for 0.5-10 hours; reacting the volatilized metal arsenium vapor and metal zinc vapor at 400-900 DEG C for 0.5-10 hours to obtain a deposit; and volatilizing the deposit at 600-1100 DEG C under the pressure of 0.5-2000Pa for 0.5-10 hours to remove unreacted metal zinc and metal arsenium, and cooling to 300 DEG C below, thereby obtaining the zinc arsenide. The zinc arsenide content in the zinc arsenide for semiconductor industry is greater than 99.995 wt%. The invention can fully utilize metal arsenium resources, reduces the amount of arsenium discharged to the environment in the industrial process, and thus, is beneficial to environmental protection. The low-value metal arsenium and zinc are prepared into the high-added-value zinc arsenide product applicable to the semiconductor material and photovoltaic industries. The method has the advantages of high reaction speed, lower equipment investment, controllable and simple reaction conditions and low preparation cost.

公开/授权文献
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