发明授权
- 专利标题: 一种高纯钽靶材的生产方法
- 专利标题(英): Production method of high-purity tantalum target material
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申请号: CN201310059475.3申请日: 2013-02-26
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公开(公告)号: CN103147050B公开(公告)日: 2015-04-15
- 发明人: 赵珍珍 , 方庆 , 谢玉
- 申请人: 昆山海普电子材料有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市昆山市巴城镇学院路88号
- 专利权人: 昆山海普电子材料有限公司
- 当前专利权人: 泰安晶品新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市昆山市巴城镇学院路88号
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 汪青
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34
摘要:
本发明涉及一种高纯钽靶材的生产方法,其包括(1)、将大小为5~10mm*5~10mm的钽块置于氢化炉中进行吸氢;(2)、将吸氢完毕的钽破碎成-200目的粉末,置于钢包套中,按一定速率和阶段进行升温和抽气,之后将钢包套置于热等静压机中进行烧结,烧结温度为1100~1500℃,气氛压力为50~200MPa,最后机加工,切割成规定形状,即得。本发明采取粉末冶金的方法并结合特定的工艺条件,可以获得织构分布均匀、晶粒大小分布均匀且晶粒尺寸小的钽靶材,该靶材具有高沉积速度和较好的膜均一性,产生出较少的电弧和粒子并具有较好的成膜性能。特别是,本发明的方法的工艺过程简单,成本较低。
公开/授权文献
- CN103147050A 一种高纯钽靶材的生产方法 公开/授权日:2013-06-12
IPC分类: