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公开(公告)号：CN103898459B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410152954.4
申请日：2014-04-16
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种高纯钴靶材的制备方法，包括依次进行的如下步骤：将纯度为99.999%以上的高纯钴锭进行径向锻造和退火处理；将处理后高纯钴锭截成短节，对短节进行纵向墩粗和退火处理；将处理后的高纯钴锻件进行多次压延和退火处理得到钴钯坯；将钴钯坯进行机械加工，然后通过低熔点焊料与铜背板粘接在一起，即得高纯钴靶材。本发明获得了内部致密、微观组织均匀的钴锻件，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，在之后压延过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。压延和退火处理可以提高钴靶材的磁透率。
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公开(公告)号：CN103992109B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201410250089.7
申请日：2014-06-06
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种氧化锆和氧化钇混合物陶瓷靶材的制备方法，包括依次进行的步骤如下：将ZrO2颗粒与Y2O3颗粒混合物采用ZrO2研磨球进行球磨混合，球磨混合后的混合粉料的粒径为10nm~100nm；对混合粉料进行冷等静压成型，获得混合物陶瓷靶材的毛坯；将毛坯进行高温烧结，获得混合物陶瓷靶材的素坯；对素坯进行机械加工，获得混合物陶瓷靶材。本发明通过采用成分和ZrO2颗粒与Y2O3颗粒混合物的成分基本相同的ZrO2研磨球进行球磨混合，混合粉料中杂质的进入减少，纯度提高，且混合粉料细，混合均匀；另外，采用冷等静压的方式获得的毛坯表面光滑且致密度高；本发明的制备方法操作简单，生产成本低，生产效率高。
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公开(公告)号：CN103184419B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310088198.9
申请日：2013-03-19
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种铝钕合金靶材的生产方法，其包括（1）将铝锭和金属钕块切割成细条，表面超声波清洗，烘干，称量装炉，将炉体抽真空，氧化铝坩埚升温至800~1000℃，真空中频感应熔炼，停电、铜质水冷模浇铸铸锭，随炉冷，破真空取锭；（2）高温消除铸造应力并成分均匀化退火处理，然后将铝钕合金锭表面车削扒皮、切头部缩孔；（3）加热至350~600℃进行热锻打，直至合金厚度为15~30mm；（4）加热至350~500℃，轧制处理，轧制的道次变形率为10%~30%；（5）进行去应力退火；（6）、机加工。本发明所得铝钕合金靶材致密度高、晶粒大小分布均匀，适于平板显示面板的连接薄膜的制造。
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公开(公告)号：CN104195513A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410424910.2
申请日：2014-08-11
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明涉及一种带有铜合金背板的镍铂合金靶材的制备方法，在铜合金背板的待焊面加工一个凹槽；对铜合金背板和镍铂合金靶材进行机加工、化学清洗、镀铬；将镀铬后的铜合金背板放在带有加压装置的加热工作台上，待焊面朝上，然后在铜合金背板的待焊面上放置一个直径等于设计焊缝厚度的铜丝，加热到200℃~250℃后保温，然后向铜合金背板的待焊面上倒液态钎料，然后再将镀铬后的镍铂合金靶材放置在倒有液态钎料的铜合金背板的凹槽中，然后进行加压焊接；关闭加压装置，冷却20~40min后清除多余的钎料，即得带有铜合金背板的镍铂合金靶材。本发明的镍铂合金靶材在低功率溅射过程中不会和背板脱开，可以正常进行溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN103205721A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310088019.1
申请日：2013-03-19
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种钛铝合金靶材的生产方法，其包括（1）将钛粉和铝粉在入V型混料机中混料；（2）将粉体置于冷等静压包套中，抽真空后密封，压制10~20分钟，然后置于真空自蔓延高温合成炉中，进行自蔓延反应，获得泡沫状钛铝合金；（3）将合金粉碎成为-200目的合金粉体，置于冷等静压包套中，进行压制，获得钛铝合金坯；（4）将合金坯置于钢包套中，进行真空脱气处理，完毕，进行热等静压烧结处理获得钛铝合金锭坯，（5）机加工得到钛铝合金靶材成品。本发明在将二种原料充分混合之后、实施热等静压烧结之前，特别采取了步骤（2）的合金化处理，并对各步骤的条件进行了严格控制，所制备的钛铝合金靶材致密度高、晶粒大小分布均匀。
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公开(公告)号：CN103184419A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310088198.9
申请日：2013-03-19
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种铝钕合金靶材的生产方法，其包括（1）将铝锭和金属钕块切割成细条，表面超声波清洗，烘干，称量装炉，将炉体抽真空，氧化铝坩埚升温至800~1000℃，真空中频感应熔炼，停电、铜质水冷模浇铸铸锭，随炉冷，破真空取锭；（2）高温消除铸造应力并成分均匀化退火处理，然后将铝钕合金锭表面车削扒皮、切头部缩孔；（3）加热至350~600℃进行热锻打，直至合金厚度为15~30mm；（4）加热至350~500℃，轧制处理，轧制的道次变形率为10%~30%；（5）进行去应力退火；（6）机加工。本发明所得铝钕合金靶材致密度高、晶粒大小分布均匀，适于平板显示面板的连接薄膜的制造。
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公开(公告)号：CN103182507A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310088743.4
申请日：2013-03-19
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种铬铝合金靶材的生产方法，其包括（1）将铬粉和铝粉在入V型混料机中混料；（2）将粉体置于冷等静压包套中，抽真空后密封，压制10~20分钟，然后置于真空自蔓延高温合成炉中，进行自蔓延反应，获得泡沫状铬铝合金；（3）将合金粉碎成为-200目的合金粉体，置于冷等静压包套中，进行压制，获得铬铝合金坯；（4）将合金坯置于钢包套中，进行真空脱气处理，完毕，进行热等静压烧结处理获得铬铝合金锭坯，（5）机加工得到铬铝合金靶材成品。本发明在将二种原料充分混合之后、实施热等静压烧结之前，特别采取了步骤（2）的合金化处理，所制备的铬铝合金靶材致密度高、晶粒大小分布均匀，真空镀膜性能好。
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公开(公告)号：CN103993258B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410215902.7
申请日：2014-05-21
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
IPC分类号： C23C10/28
摘要： 本发明涉及一种适于对具有复杂内腔结构的工件进行涂层的方法，包括依次进行的如下步骤：对工件的内外表面进行净化处理，然后将净化后的工件和捐献材料放入反应罐中，捐献材料为AlCr颗粒或Si粉和AlCr颗粒的混合物；将反应罐抽真空，然后充入氩气至反应罐内的压力为1~2毫巴；对反应罐进行预热处理，然后向反应罐中充入氢气和氯化氢气体至反应罐内的压力为800~1000毫巴；将反应罐加热至900℃~1100℃，然后保温1~2小时，在工件的表面形成Al渗层或Al-Si共渗层，即涂层。本发明通过将氯化氢和含Al捐献材料反应获得富铝涂层，提高了工件的耐腐蚀和耐高温性能，并且该方法操作简单，生产成本低，且生产效率高。
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公开(公告)号：CN104233205B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410489527.5
申请日：2014-09-23
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明涉及一种钽钌合金靶材的制备方法，包括依次进行的如下步骤：将钽粉和钌粉混合均匀后进行冷等静压压成块状，然后真空烧结；真空烧结之后再进行真空电子束熔炼获得高纯钽钌合金锭；将高纯钽钌合金锭进行径向热锻和退火处理；接着进行纵向墩粗和退火处理；然后进行热轧、冷轧、再结晶退火处理；最后将高纯钽钌合金锭与背板焊接即得所述的钽钌合金靶材。本发明将钽钌合金锭进一步滴熔成纯度更高、氧含量更低的高纯钽钌合金锭，在这过程中，一些低熔点的杂质可以通过挥发而被除去；另外，本发明通过径向热锻、纵向墩粗、热轧、冷轧等步骤，使得钽钌合金锭的晶粒小于100微米。
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公开(公告)号：CN103894720B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410152676.2
申请日：2014-04-16
申请人： 昆山海普电子材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种高纯钴靶材坯料与背板的焊接方法，包括依次进行的如下步骤：将高纯钴靶材坯料和背板的表面分别进行机械加工；将机械加工后的高纯钴靶材坯料和背板用有机清洗溶剂清洗；将清洗后的高纯钴靶材坯料和背板采用热压炉在压力为50~160 MPa、温度为300~400℃、热压行程为8~12mm的条件下进行扩散焊3~5小时，然后进行冷却、卸压；将处理后的工件进行机械加工，得到有6061铝合金背板的高纯钴靶材组件。本发明采用热压炉扩散焊接，使得造价降低；此外，高纯钴靶材坯料与6061铝合金背板之间的结合率可以达到99%以上，且结合强度高，结合后弯曲变形小，对靶材组件的总体性能没有明显影响。
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