发明公开
CN103147129A 生长氮化镓结晶组合物的方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 生长氮化镓结晶组合物的方法
- 专利标题（英）： Method for growing a crystalline composition comprising gallium nitride
-
申请号： CN201310078174.5申请日： 2007-11-09
-
公开(公告)号： CN103147129A公开(公告)日： 2013-06-12
- 发明人: 马克.P.德维林 , 克里斯蒂.J.纳兰 , 朴东实 , 洪慧聪 , 曹宪安 , 拉里.Q.曾
- 申请人： 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
- 申请人地址： 美国康涅狄格州
- 专利权人： 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
- 当前专利权人： 莫门蒂夫性能材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国康涅狄格州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 封新琴
- 优先权： 11/558,048 2006.11.09 US
- 分案原申请号： 2007800495498 2007.11.09
- 主分类号： C30B29/40
- IPC分类号： C30B29/40 ; C30B25/02 ; C30B9/08 ; C30B19/02 ; C30B19/12
摘要：
一种生长结晶组合物的方法，第一结晶组合物可包含镓和氮。结晶组合物可具有位于约3175cm-1处的红外吸收峰且单位厚度吸收率大于约0.01cm-1。在一种实施方案中，组合物具有小于约3×1018cm-3的氧浓度，且在第一结晶组合物的确定体积内可不含二维平面晶界缺陷。