公开(公告)号：CN118407123A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410614389.2

申请日：2024-05-17

申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

发明人： 李俊 ,  李阳 ,  蒋金秀 ,  魏占涛 ,  魏源 ,  刘庆元 ,  帅世荣 ,  左林森 ,  肖礼康 ,  蓝江河 ,  杨天颖

IPC分类号： C30B19/12 ,  C30B19/00 ,  C30B29/16

摘要： 本发明公开了一种铁氧体单晶膜多片同时生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料领域，制备原料包括Y2O3、Fe2O3、PbO和B2O3，制备时的衬底装夹于夹具上，所述原料中，所述PbO与B2O3的摩尔比的范围为25～35；所述衬底为至少两个，相邻两个衬底的间距≥10mm；采用本发明的方法能够同时生长三片以上100μm石榴石型单晶膜，极大的提高了生产效率。

公开(公告)号：CN115094511B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210616486.6

申请日：2022-06-01

申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

发明人： 李俊 ,  李阳 ,  魏占涛 ,  刘庆元 ,  帅世荣 ,  陈运茂 ,  游斌

IPC分类号： C30B19/12 ,  C30B29/28

摘要： 本发明公开了一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法，属于铁氧体单晶薄膜材料技术领域，本发明的方法为采用熔盐法制备石榴石同质衬底，并以此衬底进行液相外延，避免了异质衬底与膜之间的物理性能差异，有效减小了膜的内应力，降低膜的缺陷密度，提高成膜质量；本方法制备出的单晶厚膜与衬底间的内应力小，膜表面平整，缺陷少，结晶质量高，能有效的应用于微波器件或磁光器件。

公开(公告)号：CN114737248B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210282043.8

申请日：2022-03-22

申请人： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

发明人： 帅世荣 ,  李阳 ,  李俊 ,  魏占涛 ,  刘庆元 ,  陈运茂 ,  游斌 ,  蓝江河 ,  肖礼康

IPC分类号： C30B19/12 ,  C30B29/28 ,  C30B33/02

摘要： 本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。

公开(公告)号：CN116065239A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211613726.3

申请日：2022-12-15

申请人： 西安奕斯伟材料科技有限公司 ,  西安奕斯伟硅片技术有限公司

发明人： 杨海龙 ,  王力

IPC分类号： C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  C30B33/12 ,  C30B29/06 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B19/12

摘要： 本发明公开了一种硅片的处理方法，包括：将硅片放置于反应腔中；向所述反应腔中通入还原性气体还原所述硅片表面的氧化层；向所述反应腔中通入刻蚀气体刻蚀所述硅片表面。通过还原性气体可以还原所述硅片表面的氧化层，比如二氧化硅；通过刻蚀气体可以刻蚀所述硅片表面，以去除硅片表面的有机物杂质，通过刻蚀能够有效去除有机物杂质，整个硅片表面去除杂质的工艺过程简单，不会带来新的杂质，所需时间短，去除效果好，可以提高硅片外延的沉积质量。

公开(公告)号：CN113249789B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110532288.7

申请日：2021-05-17

申请人： 浙江大学

发明人： 韩高荣 ,  林宸 ,  任召辉 ,  陈嘉璐 ,  周迪逵 ,  曹海文

IPC分类号： C30B29/32 ,  C30B19/00 ,  C30B19/12

摘要： 本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜，具有面积接近cm2级别的宏观尺寸，厚度可达微米级，且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化。该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合，在远低于居里温度的环境中制备得到的，工艺过程简单、可控，成本低，易于规模化生产，在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。

公开(公告)号：CN108728897B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201810328146.7

申请日：2018-04-13

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  美浓轮武久

IPC分类号： C30B19/04 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及一种制备SiC单晶的方法。通过布置籽晶与在坩埚中的Si‑C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶。该方法包括使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000‑1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1‑100)或(11‑20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。获得了高均匀性和品质的SiC单晶，其在贯通螺位错、贯通刃位错、基面位错、微管和堆垛层错方面得到减少。

公开(公告)号：CN107075724B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201580048948.7

申请日：2015-09-10

申请人： 国立大学法人名古屋大学 ,  中央硝子株式会社

发明人： 宇治原徹 ,  原田俊太 ,  古池大辉 ,  梅崎智典

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  C30B19/12

摘要： 得到了一种能够在碳化硅的偏离基板上抑制表面粗糙并且使碳化硅的单晶生长的方法。使用如下的碳化硅的晶体的制造方法，其为使碳化硅的晶种接触包含硅和碳的原料溶液并旋转的碳化硅的晶体的制造方法，其特征在于，前述晶种的晶体生长面具有偏离角，相对于前述晶种的中心位置，前述晶种的旋转中心的位置处于作为前述偏离角的形成方向的阶梯流动方向的下游侧。

公开(公告)号：CN109023527A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811000028.X

申请日：2018-08-30

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  吴玉娟 ,  张怀武 ,  张元婧 ,  李苏凡 ,  饶毅恒 ,  文岐业

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B29/64 ,  C30B19/12

CPC分类号： C30B29/28 ,  C30B19/12 ,  C30B29/64

摘要： 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。

公开(公告)号：CN108884594A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780000677.7

申请日：2017-01-13

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/208

摘要： 在支撑基板1上设置包含13族元素氮化物的晶种层2。通过从支撑基板1侧照射激光A而沿着支撑基板与晶种层3的界面设置包含13族元素氮化物的变质部4。变质部4为位错缺陷导入部或非晶质部。

公开(公告)号：CN108474138A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680065719.0

申请日：2016-11-08

申请人： 学校法人关西学院

发明人： 金子忠昭 ,  久津间保德 ,  芦田晃嗣

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B19/04 ,  C30B19/12

摘要： 在第1工序中，在SiC基板(40)的表面形成凸部(42)并蚀刻该SiC基板(40)。在第2工序中，除去根据MSE法使SiC基板(40)的凸部(42)外延生长而在垂直(c轴)方向大幅地生长的包含螺旋位错的外延层(43a)的至少一部分。在第3工序中，通过在进行了第2工序的SiC基板(40)上再次进行MSE法，使得不包含螺旋位错的外延层(43)彼此在水平(a轴)方向生长而互相以分子层级连接，进而在SiC基板(40)的Si面或C面的全面生成1个大面积的单晶4H-SiC的半导体晶圆(45)。