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发明公开
CN103151396A 薄膜太阳能电池及其制造方法 无效 - 撤回

薄膜太阳能电池及其制造方法
摘要：
本发明提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法。薄膜太阳能电池包含基板以及半导体层。半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上；第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上；以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中，通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层，以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。
摘要（英）：

The present invention provides a thin-film solar cell and a method for forming the same. The thin-film solar cell includes a substrate and a semiconductor layer containing a P-type crystalline silicon layer over the substrate, a first I-type crystalline silicon layer on the P-type crystalline silicon layer, a first N-type crystalline silicon layer on the first I-type crystalline silicon layer, a second I-type crystalline silicon layer on the first N-type crystalline silicon layer and a second N-type crystalline silicon layer on the second I-type crystalline silicon layer. Wherein, the semiconductor layer is formed with additional I-type and N-type crystalline silicon layers, thereby enhancing the photoelectric conversion efficiency of the thin-film solar cell.

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