公开(公告)号：CN115172157B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202210807902.0

申请日：2022-07-06

申请人： 安徽华晟新能源科技有限公司

发明人： 龚道仁 ,  张良 ,  辛科 ,  张景 ,  赵泽 ,  周锡伟

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L31/20 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/077 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种单晶硅片的绒面制备方法和相应的太阳能电池，该方法包括：分别提供单晶硅片和碱溶液，碱溶液适于对单晶硅片的一侧表面进行腐蚀；在对单晶硅片待进行腐蚀的一侧表面形成反应阻挡层，反应阻挡层中具有贯穿反应阻挡层的若干开口；将形成有反应阻挡层的单晶硅片置于碱溶液中，在反应阻挡层背向单晶硅片的一侧表面以及开口的侧壁同时形成掩膜保护膜，掩膜保护膜在碱溶液的作用下吸附在反应阻挡层的表面；碱溶液与单晶硅片反应，在单晶硅片对应开口的区域内形成倒金字塔形绒面。该单晶硅片的绒面制备方法可以获得最佳的倒金字塔形貌，进而极大提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN117913184A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202211240138.X

申请日：2022-10-11

申请人： 胜慧科技有限公司

发明人： 朱兆杰

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077

摘要： 本发明公开一种双能区纳米电极耦合双异质接面光伏电池及其制造方法。双能区纳米电极耦合双异质接面光伏电池包括一第一端电极、一第一太阳能电池、一共用电极结构、一第二太阳能电池及一第二端电极。第一太阳能电池连接于第一端电极，其有一第一PIN异质接面结构。共用电极结构于第一太阳能电池上。第二太阳能电池设置于所述共用电极结构上，其包括一第二PIN异质接面结构。共用电极结构并联第一太阳能电池与第二太阳能电池。第二端电极设置在第二太阳能电池上。共用电极结构的金属导电端电极穿过第二太阳能电池而且延伸至其顶面，并且共用电极结构的金属导电端电极与第二端电极外露于同一侧。

公开(公告)号：CN117637923A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210987600.6

申请日：2022-08-17

申请人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司

发明人： 陈曦 ,  张达奇 ,  吴坚 ,  蒋方丹

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/077

摘要： 本发明提供一种异质结电池及其制备方法。所述制备方法包括在硅基体一侧依次制备本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层和TCO层，在硅基体另一侧依次制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层和TCO层。本发明中通过对N型掺杂非晶硅层和/或P型掺杂非晶硅层进行等离子体处理，提高了异质结电池的开路电压、填充因子和光电转换效率，降低了异质结电池的接触电阻，制备得到了性能优异的异质结电池。

公开(公告)号：CN115132884B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211061849.0

申请日：2022-09-01

申请人： 福建金石能源有限公司

发明人： 林朝晖 ,  林楷睿

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/077

摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种异质结太阳能电池的制作方法，它包括如下步骤，A，在半导体基板表面上形成隧穿氧化层；B，在隧穿氧化层上形成N型多晶硅层；C，在半导体基板第一主面的N型多晶硅层上形成掩膜层；D，对半导体基板第二主面进行制绒清洗，之后去除掩膜层；E，在半导体基板第二主面上形成第二本征非晶硅层；F，在第二本征非晶硅层上形成P型掺氧微晶硅层。本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池的制作方法，其工艺较简洁，既保持了N型多晶硅层高导电和低设备投资成本的优势，又保持了异质结良好钝化、高开路电压的技术特点。

公开(公告)号：CN111599881B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201910982818.0

申请日：2019-10-16

申请人： 江苏科技大学

发明人： 李阳 ,  王志勇 ,  陶冉 ,  罗凯

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及维纳能源技术领域，具体地说，是一种单晶氧化亚铜复合半导体纳米发电机及其制造方法，能够应用于半导体领域、光伏发电领域，以及热电转换领域，包括透明基底、底部电极层、p型半导体层、单晶氧化亚铜层、n型半导体层、顶部电极层，其中，单晶氧化亚铜层为定向生长所得，使其与p型半导体层接触部分为{111}晶面，且与n型半导体层接触部分为{100}晶面，本发明具有结构简单、生产成本低，经济环保等诸多优点与特点。

公开(公告)号：CN109786510B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201910180996.1

申请日：2019-03-11

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 杨楠楠 ,  顾溢 ,  马英杰 ,  师艳辉 ,  何桂香 ,  龚谦 ,  张永刚

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/077

摘要： 本发明涉及一种四元探测器的制备方法，包括提供外延片；以光刻胶为掩膜对外延片进行光刻，获得台面；采用直流反应磁控溅射的方法在台面上淀积氮化铝绝缘接触层，采用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在氮化铝绝缘接触层上淀积氮化硅钝化加固层，从而得到氮化铝和氮化硅双层薄膜；在氮化铝和氮化硅双层薄膜和台面上开刻电极窗口；在电极窗口中制作P型金属电极和N型金属电极，从而得到铟镓砷铋四元探测器。本发明还提供由上述的制备方法得到的铟镓砷铋四元探测器。本发明的氮化铝和氮化硅双层薄膜有效覆盖凸台的侧表面，提升绝缘钝化性能，降低了过渡到凸台的台阶处的漏电流的产生，进而大大提升了探测器的响应率和可靠性。

公开(公告)号：CN106653922B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201610954774.7

申请日：2016-10-27

申请人： 延边大学

发明人： 吴宝嘉 ,  王俊盈 ,  赵晨 ,  谷雨时

IPC分类号： H01L31/054 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体的太阳能电池结构及其制作方法，包括保护壳以及从下到上依次设置在保护壳内透明基板、非晶硅层、Ⅲ‑Ⅴ族多晶半导体层、透明导光层、吸光层，保护壳的底端活动安装有保护底板，吸光层呈凹向的弧形设置，与透明导光层上的凹槽为吻合；透明导光层的表面和内部开设有多个微孔，将入射光线水平导向至Ⅲ‑Ⅴ族多晶半导体层中。本发明采用弧形的吸光层、透明导光层以及透明基板作为结构，不仅增加了其使用寿命，降低了总成本，而且增加吸光面积，有效的吸收光能，提高太阳能电池对光的转换效率。

公开(公告)号：CN104638048B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310654869.3

申请日：2013-12-06

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 陈玉鸿 ,  刘俊岑 ,  刘永宗 ,  林宸澄

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0376

CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含具有受光面的p型结晶硅基板、形成在该p型结晶硅基板的受光面上的第一i型非晶硅薄膜层、形成在该第一i型非晶硅薄膜层上的n型非晶氧化层、以及形成于该n型非晶氧化层上的第一透明导电层。再者，本发明的异质结太阳能电池可选择性地不形成第一i型非晶硅薄膜层，而直接形成n型非晶氧化层，且所形成的n型非晶氧化层也可为依序形成的n‑以及n+非晶氧化层。

公开(公告)号：CN104505419B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410699068.3

申请日：2014-11-27

申请人： 湖南共创光伏科技有限公司

发明人： 何湘衡 ,  李廷凯

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种具有过渡层的晶硅及碳化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化硅层。所述制备方法在硅片完成制绒、抛光和清洗后，加入了前氢化干燥处理，同时，在完成此过渡层的工艺后，加入了后氢化处理方式，两种方法用于改善界面质量和结构的稳定性。采用这种过渡层并采用了前氢化干燥处理和后氢化处理过的具有过渡层的晶硅及碳化硅薄膜复合型电池，可以在原来的基础上将电池转换效率提高10％以上。

公开(公告)号：CN102738267B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210203843.2

申请日：2012-06-20

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 郑新和 ,  李雪飞 ,  张东炎 ,  吴渊渊 ,  陆书龙 ,  杨辉

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。